Мощные полевые транзисторы – МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

    В данном материале предоставляется справочная информация по зарубежным полевым транзисторам большой мощности. В таблице указаны только основные параметры - предельное напряжение стока, ток, рассеиваемая мощность и сопротивление открытого перехода сток-исток. Для более подробной информации, скопируйте название транзистора в поле ДАТАШИТ - справа сверху страницы и скачайте PDF файл с описанием. Полевые транзисторы мощные часто применяются в стабилизаторах напряжения и тока, выходных каскадах усилителей мощности, ключах зарядных устройств и преобразователей.

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

  Марка Напряжение, B Сопротивление перехода, Ом Ток стока, A Мощность, Вт Корпус  
  1 2 3 4 5 6  
  STH60N0SFI 50
0,023
40,0 65 ISOWATT218  
  STVHD90FI 50 0,023 30,0 40 ISOWATT220  
  STVHD90 50 0,023 52,0 125 ТО-220  
  STH60N05 50 0,023 60,0 150 ТО-218  
  IRFZ40 50 0,028 35.0 125 ТО-220  
  BUZ15 50 0.03 45,0 125 ТО-3  
  SGSP592 50 0,033 40,0 150 ТО-3  
  SGSP492 50 0.033 40,0 150 ТО-218  
  IRFZ42FI 50 0,035 24,0 40 ISOWATT220  
  IRFZ42 50 0,035 35,0 125 ТО-220  
  BUZ11FI 50 0,04 20,0 35 ISOWATT220  
  BUZ11 50 0,04 30,0 75 ТО-220  
  BUZ14 50 0,04 39,0 125 ТО-3  
  BUZ11A 50 0,06 25,0 75 ТО-220  
  SGSP382 50 0.06 28,0 100 ТО-220  
  SGSР482 50 0.06 30.0 125 ТО-218  
  BUZ10 50 0.08 20.0 70 ТО-220  
  BUZ71FI 50 0,10 12,0 30 ISOWATT220  
  IRF20FI 50 0,10 12,5 30 ISOWATT220  
  BUZ71 50 6,10 14,0 40 ТО-220  
  IRFZ20 50 0,10 15.0 40 ТО-220  
  BUZ71AFI 50 0,12 11,0 30 ISOWATT220  
  IRFZ22FI 50 0,12 12,0 30 ISOWATT220  
  BUZ71A 50 0,12 13,0 40 ТО-220  
  IRFZ22 50 0,12 14,0 40 ТО-220  
  BUZ10A 50 0,12 17,0 75 ТО-220  
  SGSP322 50 0,13 16,0 75 ТО-220  
  SGSP358 50 0.30 7,0 50 ТО-220  
  MTh50N06FI 60 0,028 26,0 65 ISOWATT218  
  MTh50N06 60 0,028 40,0 150 ТО-218  
  SGSP591 60 0,033 40,0 150 ТО-3  
  SGSP491 60 0,033 40,0 150 ТО-218  
  BUZ11S2FI 60 0,04 20,0 35 ISOWATT220  
  BUZ11S2 60 0,04 30,0 75 ТО-220  
  IRFP151FI 60 0,055 26,0 65 ISOWATT218  
  IRF151 60 0.055 40,0 150 ТО-3  
  IRFP151 60 0.055 40,0 150 ТО-218  
  SGSP381 60 0,06 28,0 100 ТО-220  
  SGSP481 60 0.06 30.0 125 ТО-218  
  IRFP153FI 60 0,08 21,0 65 ISOWATT218  
  IRF153 60 0,08 33,0 150 ТО-3  
  IRFP153 60 0,08 34.0 150 ТО-218  
  SGSP321 60 0,13 16,0 75 ТО-220  
  MTP3055EFI 60 0,15 10,0 30 ISOWATT220  
  МТР3055Е 60 0,15 12.0 40 ТО-220  
  IRF521FI 80 0,27 7,0 30 ISOWATT220  
  IRF521 80 0.27 9,2 60 ТО-220  
  IRF523FI 80 036 6,0 30 ISOWATT220  
  IRF523 80 0.36 8,0 60 ТО-220  
  SGSP472 80 0,05 35.0 150 ТО-218  
  IRF541 80 0,077 15,0 40 ISOWATT220  
  IRF141 80 0.077 28,0 125 ТО-3  
  IRF541 80 0.077 28,0 125 ТО-220  
  IRF543F1 80 0,10 14,0 40 SOWATT220  
  SGSP362 80 0,10 22.0 100 ТО-220  
  IRF143 80 0,10 25,0 125 ТО-3  
  SGSР462 80 0.10 25,0 125 ТО-218  
  IRF543 80 0,10 25.0 125 О-220  
  IRF531FI 80 0.16 9,0 35 SOWATT220  
  IRF531 80 0.16 14,0 79 О-220  
  IRF533FI 80 0,23 8,0 35 ISOWATT220  
  IRF533 80 0,23 12.0 79 ТО-220  
  IRF511 80 0,54 5.6 43 ТО-220  
  IRF513 80 0,74 4,9 43 ТО-220  
  IRFP150FI 100 0,055 26,0 65 ISOWATT218  
  IRF150 100 0,055 40,0 150 ТО-3  
  IRFP150 100 0,055 40,0 150 ТО-218  
  BUZ24 100 0,6 32,0 125 ТО-3  
  IRF540FI 100 0,077 15,0 40 ISOWATT220  
  IRF140 100 0,077 28,0 125 ТО-3  
  IRF540 100 0,077 28,0 125 ТО-220  
  SGSP471 100 0,075 30,0 150 ТО-218  
  IRFP152FI 100 0,08 21,0 65 ISOWATT218  
  IRF152 100 0,08 33,0 150 ТО-3  
  IRFP152 100 0,08 34.0 150 ТО-218  
  IRF542FI 100 0,10 14,0 40 ISOWATT220  
  BUZ21 100 0,10 19.0 75 ТО-220  
  BUZ25 100 0,10 19.0 78 ТО-3  
  IRF142 100 0,10 25,0 125 ТО-3  
  IRF542 100' 0,10 25,0 125 ТО-220  
  SGSP361 100 0,15 18,0 100 ТО-220  
  SGSP461 100 0,15 20.0 125 ТО-218  
  IRF530FI 100 0,16 9,0 35 ISOWATT220  
  IRF530 100 0,16 14.0 79 ТО-220  
  BUZ20 100 0,20 12.0 75 ТО-220  
  IRF532FI 100 0.23 8.0 35 ISOWATT220  
  IRF532 100 0,23 12,0 79 ТО-220  
  BUZ72A 100 0,25 9,0 40 ТО-220  
  IRF520FI 100 0.27 7,0 30 ISOWATT220  
  IRF520 100 0,27 9,2 60 ТО-220  
  SGSP311 100 0,30 11.0 75 ТО-220  
  IRF522FI 100 0,36 6.0 30 ISOWATT220  
  IRF522 100 0,36 8,0 60 ТО-220  
  IRF510 100 0,54 5,6 43 ТО-220  
  SGSP351 100 0,60 6,0 50 ТО-220  
  IRF512 100 0,74 4,9 43 ТО-220  
  SGSP301 100 1,40 2,5 18 ТО-220  
  IRF621FI 160 0,80 4.0 30 ISOWATT220  
  IRF621 150 0,80 5,0 40 ТО-220  
  IRF623FI 150 1,20 3,5 30 ISOWATT220  
  IRF623 150 1.20 4.0 40 ТО-220  
  STh43N20FI 200 0.085 20.0 70 ISOWATT220  
  SGSP577 200 0,17 20,0 150 ТО-3  
  SGSP477 200 0,17 20,0 150 ТО-218  
  8UZ34 200 0,20 19,0 150 ТО-3  
  SGSP367 200 0,33 12,0 100 ТО-220  
  BUZ32 200 0,40 9,5 75 ТО-220  
  SGSP317 200 0,75 6,0 75 ТО-220  
  IRF620FI 200 0,80 4,0 30 ISOWATT220  
  IRF620 200 0,80 5,0 40 ТО220  
  IRF622FI 200 1.20 3,5 30 ISOWATT220  
  IRF622 200 1.20 4,0 40 ТО-220  
  IRF741FI 350 0.55 5,5 40 ISOWATT220  
  IRF741 350 0,55 10,0 125 ТО-220  
  IRF743 350 0.80 8,3 125 ТО-220  
  IRF731FI 350 1,00 3,5 35 ISOWATT220  
  IRF731 350 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF733FI 350 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  IRF733 350 1,50 4.5 75 ТО-220  
  IRF721FI 350 1,80 2.5 30 ISOWATT220  
  IRF721 350 1,80 3.3 50 ТО-220  
               
  IRF723FI 350 2,50 2,0 30 ISOWATT220  
  IRF723 350 2,50 2,8 50 ТО-220  
  IRFP350FI 400 0,30 10,0 70 ISOWATT218  
  IRF350 400 0,30 15,0 150 ТО-3  
  IRFP350 400 0,30 16,0 180 ТО-218  
  IRF740FI 400 0,55 5,5 40 ISOWATT220  
  IRF740 400 0,55 10,0 125 ТО-220  
  SGSP475 400 0,55 10,0 150 ТО-218  
  IRF742FI 400 0,80 4,5 40 ISOWATT220  
  IRF742 400 0,80 8,3 125 ТО-220  
  IRF730FI 400 1,00 3,5 35 ISOWATT220  
  BUZ60 400 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF730 400 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF732FI 400 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  BUZ60B 400 1,50 4,5 75 ТО-220  
  IRF732 400 1,50 4,5 75 ТО-220  
  IRF720FI 400 1,80 2,5 30 ISOWATT220  
  BUZ76 400 1,80 3,0 40 ТО-220  
  IRF720 400 1,80 3,3 50 ТО-220  
  IRF722FI 400 2,50 2,0 30 ISOWATT220  
  BUZ76A 400 2,50 2,6 40 ТО-220  
  IRF722 400 2,50 2,8 50 ТО-220  
  SGSP341 400 20,0 0,6 18 ТО-220  
  IRFP451FI 450 0,40 9,0 70 ISOWATT218  
  IRF451 450 0,40 13,0 150 ТО-3  
  IRFP451 450 0,40 14,0 180 ТО-218  
  IRFP453FI 450 0,50 8,0 70 ISOWATT218  
  IRF453 450 0,50 11,0 150 ТО-3  
  IRFP453 450 0,50 12,0 180 ТО-218  
  SGSP474 450 0,70 9,0 150 ТО-218  
  IRF841FI 450 0,85 4,5 40 ISOWATT220  
  IF841 450 0.85 8,0 125 ТО-220  
  IRFP441FI 450 0,85 5,5 60 ISOWATT218  
  IRF843FI 450 1,10 4,0 40 ISOWATT220  
  IRF843 450 1,10 7,0 125 ТО-220  
  IRF831FI 450 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  IRF831 450 1,50 4,5 75 ТО-220  
  SGSP364 450 1,50 5,0 100 ТО-220  
  IRF833FI 450 2,00 2,5 35 ISOWATT220  
  IRF833 450 2,00 4,0 75 Т0220  
  IRF821FI 450 3,00 2,0 30 ISOWATT220  
  IRF821 450 3,00 2,5 50 ТО-220  
  SGSP330 450 3,00 3,0 75 ТО-220  
  IRF823FI 450 4,00 1.5 30 ISOWATT220  
  IRF823 450 4,00 2,2 50 ТО-220  
  IRFP450FI 500 0,40 9,0 70 ISOWATT218  
  IRF450 500 0,40 13,0 150 ТО-3  
  IRFP450 500 0,40 14,0 180 ТО-218  
  IRFP452FI 500 0,50 8,0 70 ISOWATT218  
  IRF452 500 0,50 11,0 150 ТО-3  
  IRFP4S2 500 0,50 12,0 180 ТО-218  
  BUZ353 500 0,60 9,5 125 ТО-218  
  BUZ45 500 0,60 9,6 125 ТО-3  
  SGSP579 500 0,70 9,0 150 ТО-3  
  SGSP479 500 0,70 9.0 150 TO-218  
  BU2354 500 0,80 8,0 125 TO-218  
  BUZ45A 500 0,80 8,3 125 TO-3  
  IRF840FI 500 0,85 4,5 40 ISOWATT220  
  IRF840 500 0,85 8,0 125 TO-220  
  IRFP440FI 500 0,85 5,5 60 ISOWATT218  
  IRF842FI 500 1,10 4,0 40 ISOWATT220  
  IRF842 500 1.10 7,0 125 TO-220  
  IRF830FI 500 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  BUZ41A 500 1,50 4,5 75 TO-220  
  IRF830 500 1,50 4,5 75 TO-220  
  SGSP369 500 1,50 5,0 100 TO-220  
  IRF832FI 500 2,00 2,5 35 ISOWATT220  
  BUZ42 500 2,00 4,0 75 TO-220  
  IRF832 500 2,00 4,0 75 TO-220  
  IRF820FI 500 3,00 2,0 30 ISOWATT220  
  BUZ74 500 3,00 2,4 40 TO-220  
  IRF820 500 3,00 2,5 50 TO-220  
  SGSP319 500 3,80 2,8 75 TO-220  
  IRF322FI 500 4,00 1,5 30 ISOWATT220  
  BUZ74A 500 4,00 2,0 40 TO-220  
  IRF822 500 4,00 2,2 50 TO-220  
  SGSP368 550 2,50 5,0 100 TO-220  
  MTH6N60FI 600 1,20 3.5 40 ISOWATT218  
  MTP6N60FI 600 1,20 6,0 125 ISOWATT220  
  MTP3N60FI 600 .2,50 2,5 35 I30WATT220  
  MTP3N60 600 2,50 3,0 75 TO-220  
  STH9N80FI 800 1,00 . 5,6 70 ISOWATT218  
  STH9N80 800 1,00 9,0 180 TO-218  
  STH8N80FI 800 1,20 5,0 70 ISOWATT218  
  STH8N80 800 1,20 8.0 180 TO-218  
  STHV82FI 800 2,00 3,5 65 ISOWATT218  
  STHV82 800 2,00 5,5 125 TO-218  
  BUZ80AFI 800 3,00 2,4 40 ISOWATT220  
  BUZ80A 800 3,00 3,8 100 TO-220  
  BUZ80FI 800 4,00 2,0 35 ISOWATT220  
  BUZ80 800 4,00 2,6 75 TO-220  
  STH6N100FI 1000 2,00 3,7 70 ISOWATT218  
  STH6N100 1000 2,00 6,0 180 TO-218  
  STHV102FI 1000 3,50 3,0 65 ISOWATT218  
  STHV102 1000 3,50 4,2 125 TO-218  
  SGS100MA010D1 100 0,014 50 120 TO-240  
  SGS150MA010D1 100 0,009 75 150 TO-240  
  SGS30MA050D1 500 0,20 15 30 TO-240  
  SGS35MA050D1 500 0,16 17,5 35 TO-240  
  TSD200N05V 50 0,006 200 600 Isotop  
  TSD4M150V 100 0,014 70 135 Isotop  
  TSD4M251V 150 0,021 70 110 Isotop  
  TSD4M250V 200 0,021 60 110 Isotop  
  TSD4M351V 350 0,075 30 50 Isotop  
  TSD4M350V 400 0,075 30 50 Isotop  
  TSD4M451V 450 0,1 28 45 Isotop  
  TSD2M450V 500 0,2 26 100 Isotop  
  TSD4M450V 500 0,1 28 45 Isotop  
  TSD22N80V 800 0,4 22 77 Isotop  
  TSD5MG40V 1000 0,7 9 17 Isotop

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

   Проверку полевого транзистора на исправность можно проводить мультиметром в режиме тестирования P-N переходов диодов. Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на P-N переходе в милливольтах. У исправного транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Но в некоторых современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому бывает, что канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к стоку (D), красным (положительным) - к истоку (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 - 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт. Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом затвора (G) и опять возвращаем его на исток (S). Мультиметр показывает 0 мВ, причём при любой полярности приложенного напряжения - полевой транзистор открылся прикосновением. Если теперь черным щупом коснуться затвора (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на сток (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов.

   Справочники радиодеталей

elwo.ru

Справочник мощных импортных полевых транзисторов.

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов.


Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные MOSFET транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами.
MOSFET транзисторы обладают следующими достоинствами: малая энергия, которую нужно затратить для открывания транзистора. Этот параметр хоть и растет с увеличением частоты, но все равно остается гораздо меньшей, чем у биполярных транзисторов. У MOSFET транзисторов не времени обратного восстановления , как у биполярных и "хвоста", как у IGBT транзисторов, в связи с чем могут работать в силовых схемах на более высоких частотах. Кроме того, у MOSFET нет вторичного пробоя, и поэтому они более стойки к выбросам самоиндукции.








Отечеств. Корпус PDF Тип Imax, A Импортн. Корпус
Ограничения по длительному току, накладываемые корпусом:
ТО220 не более 75А, ТО247 не более 195А. В реальных
условиях отвода тепла эти цифры в несколько раз меньше.
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364 ТО-92 n 0.02     кп364 - полевой транзистор 40В 0.1А, характеристики
КП302 ТО-92 n 0.04      транзистор кп302 на 40В 0.1А
2П914А ТО-39 n 0.1(0.2) BSS138
2SK583
sot23
TO-92
полевой транзистор 2п924 на 40В 0.1А
КП601 ТО-39 n 0.4   полевой транзистор кп601 на 40В 0.15А

КП507
ТО-92 p 0.6
1.1
TP2104
 
TO-92, sot23
sot23
полевой транзистор кп507на 40В 0.3А
      n 1.6 BSP295 sot223 импортный полевой smd транзистор BSP295
      n 2 RTR020N05 sot23 полевой транзистор для поверхностного монтажа на 40В 2А с защитным стабилитроном в затворе
      n 4 NTR4170 sot23
      n 5 PMV60EN sot23
      n 6 BSP100 sot223
КП921А TO-220 n 10     мощный полевой транзистор КП921 на 40В 10А для применения в быстродействующих переключающих устройствах
КП954Г TO-220 n 20(18) FDD8424 TO-252 мощный полевой транзистор КП954 на 40В 20А для источников питания
      n 34 BUZ11 TO-220 импортный MOSFET транзистор BUZ11 на 40В 34А
2П7160А TO-258 n 46(42) IRFR4104 TO-252 характеристики мощного MOSFET IRF4104
n 100 IRF1104 TO-220 MOSFET транзистор IRF1104 на 40В 100А
n 162 IRF1404 TO-220 MOSFET транзистор IRF1404 на 40В 162А. Подробные характеристики см. в datasheet
n 210 IRF2204 TO-220 импортный полевой транзистор IRF2204 на 40В 210А
n 280 IRF2804 TO-220 импортный полевой транзистор IRF2804 на 40В 280А
n 350 IRFP4004 TO-247 мощный полевой транзистор с изолированным затвором IRFP4004 с током до 195А
MOSFET транзисторы на напряжение до 60-75В:
      n 0.2
0.5
2N7000
BS170
TO-92, sot23 smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0.2А для поверхностного монтажа
КП804А ТО-39 n 1    
КП505 А-Г
 
ТО-92 n 1.4
2.7

IRFL014

sot223
импортный полевой транзистор irfl014 на 60В 0.1А для поверхностного монтажа
КП961Г ТО-126 n 5     транзистор КП961Г на 60В 0.5А
КП965Г ТО-126 n 5     транзистор КП965Г на 60В 0.5А
КП801 (А,Б) ТО-3 n 5      
КП739 (А-В) ТО-220 n 10 IRF520 ТО-220 импортный полевой транзистор IRF520, характеристики
КП740 (А-В) ТО-220 n 17 STP16NF06 TO-220 на 60В 15А
КП7174А ТО-220 n 18      
КП784А ТО-220 p 18    
КП954 В,Д ТО-220 n 20 STP20NF06 TO-220 мощный полевой транзистор КП954 на 60В 20А
2П912А ТО-3 n 25     полевой транзистор 2П912А на 60В и ток 25А
КП727(А,Б)
ТО-220
 

 
n
p
30
31
STP36NF06
IRF5305
ТО-220 мощный полевой транзистор КП727А на 60В 30А
КП741 (А,Б) ТО-220 n 50 IRFZ44 TO-220 мощный полевой транзистор irfz44 на 60В и ток 50А. Подробные характеристики см. в datasheet.
КП723(А-В) ТО-220 n 50 STP55NF06 TO-220 отечественный мощный полевой транзистор КП723 на 60В и ток до 50А
КП812(А1-В1) ТО-220 n 50     отечественный MOSFET транзистор КП812 на 60В и ток до 50А
2П7102Д ТО-220 n 50     MOSFET транзистор 2П7102 на 60В и ток до 50А
КП775(А-В) ТО-220 n 50(60) STP60NF06 TO-220 полевой транзистор КП775 на напряжение до 60В и ток до 50А
КП742(А,Б) ТО-218 n
n
n
p
80
80
82
74
SPB80N08
IRF1010
IRF2807
IRF4905
TO-220, D2PAK
ТО-220
ТО-220
ТО-220
полевой транзисторы irf1010, irf2807, irf4905 на 60В и ток до 80А
n 140
169
IRF3808
IRF1405
ТО-220
ТО-220
MOSFET транзистор irf3808 на 60В и ток до 140А
      n 210 IRFB3077 ТО-220 полевой транзистор irfb3077 на 75В и ток 210А
      n 350 IRFP4368 ТО-247 мощный полевой транзистор irfp4368 на напряжение 75В  ток до 195А
MOSFET на напряжение до 100-150В:
КП961В ТО-126 n 5      
КП965В ТО-126 p 5(6.8) IRF9520 ТО-220 p-канальный импортный полевой транзистор IRF9520 на напряжение до 100В, ток до7А
КП743 (А1-В1) ТО-126 n 5.6  
КП743 (А-В) ТО-220 n 5.6 IRF510 ТО-220 mosfet транзистор IRF510 на напряжение до 100В, ток до 6А.
КП801В ТО-3 n 8 IRFR120 DPAK  
КП744 (А-Г) ТО-220 n 9.2 IRF520 TO-220 импортный полевой транзистор IRF520 на напряжение до 100В и ток до 9А
КП922 (А,Б) ТО-3 n 10 BUZ72 TO-220 mosfet транзистор BUZ72 с током до 10А
КП745 (А-В) ТО-220 n 14 IRF530 ТО-220 транзистор IRF530 на напряжение до 100В и ток до 14А
КП785А ТО-220 p 19 IRF9540 ТО-220 импортный p-канальный полевой транзистор IRF9540 на ток до 19А
2П7144А ТО-220 p 19     мощный p-канальный полевой транзистор 2П7144 на 100В и ток до 19А
КП954Б ТО-220 n 20 IRFB4212 TO-220 параметры мощного MOSFET транзистора IRFB4212
2П912А ТО-3 n 20     мощный n-канальный полевой транзистор 2П912 на напряжение 100В и ток до 20А
КП746(А-Г) ТО-220 n 28 IRF3315 ТО-220 импортный полевой транзистор IRF3315 на ток до 28А
2П797Г ТО-220 n 28 IRF540 ТО-220 импортный полевой транзистор IRF540 на ток до 28А
КП769(А-Г) ТО-220 n 28     мощный полевой транзистор КП769 на напряжение до 100В и ток до 28А

КП150

ТО-218

n 33
34
38
IRF540NS
BUZ22
 
TO-220, D2PAK
TO-220
 
мощный полевой транзистор irf540 на 100В и ток 34А
КП7128А,Б ТО-220 p 40 IRF5210 ТО-220 mosfet транзистор irf5210 на 100В и ток до 40А
КП771(А-Г)

 

ТО-220

 

 

n 40
42
47

IRF1310
PHB45NQ10

ТО-220
TO-247, D2PAK
отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310
      n 57 STB40NF10
IRF3710
smd
ТО-220
мощный полевой транзистор irf3710 на 100В 57А
      n 72 IRFP4710 ТО-247 mosfet транзистор irf4710 на 100В и ток до 72А
      n 171 IRFP4568 ТО-247 полевой тразистор irf4568 на 150В 171А
      n 290 IRFP4468 ТО-247 мощный полевой транзистор irf4468 на 100В 195А
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402А ТО-92 p 0.15 BSS92 TO-92  
КП508А ТО-92 p 0.15      
КП501А ТО-92 n 0.18 BS107 TO-92  
КП960В ТО-126 p 0.2      
КП959В ТО-126 n 0.2      
КП504В ТО-92 n 0.2 BS108 ТО-92  
КП403А ТО-92 n 0.3      
КП932А ТО-220 n 0.3      
КП748 (А-В) ТО-220 n 3.3 IRF610 ТО-220 mosfet транзистор IRF610 с напряжением до 200В и на ток до 3А
КП796В ТО-220 p 4.1 BUZ173 TO-220  
КП961А ТО-126 n 5 IRF620 TO-220 полевой транзистор IRF620 на 200В 5А
КП965А ТО-126 p 5      
КП749 (А-Г) ТО-220 n 5.2      
КП737 (А-В) ТО-220 n 9 IRF630 ТО-220 mosfet транзистор irf630 на ток до 9А и напряжение до 200В
КП704 (А,Б) ТО-220 n 10 mosfet на 200В 10А
КП750 (А-В) ТО-220 n 18 IRF640
IRFB17N20
TO-220 mosfet транзистор IRF640 (200В 18А)
КП767 (А-В) ТО-220 n 18      
КП813А1,Б1 ТО-220 n 22 BUZ30A
IRFP264
TO-220
TO-247
мощный полевой транзистор irf264 на 200В 20А
КП250 ТО-218 n 30(25) IRFB4620 TO-220  
2П7145А,Б КТ-9 n 30 IRFB31N20 TO-220 мощный полевой транзистор 2П7145 (200В 30А)
КП7177 А,Б ТО-218 n 50(62) IRFS4227 D2PAK характеристики MOSFET транзистора на 200В 50А
      n 130 IRFP4668 TO-247 мощный импортный полевой транзистор irfp4668 на 200В 130А
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960А ТО-126 p 0.2    
КП959А ТО-126 n 0.2  
КП796Б ТО-220 p 3.7  
2П917А ТО-3 n 5    
КП768 ТО-220 n 10    
КП934Б ТО-3 n 10    
КП7178А ТО-218
ТО-3
n 40    
Полевые транзисторы до 400В:
КП502А ТО-92 n 0.12    
КП511А,Б ТО-92 n 0.14      
КП733А ТО-220 n 1.5      
КП731 (А-В) ТО-220 n 2 IRF710 ТО-220 mosfet транзистор IRF710
КП751 (А-В) ТО-220 n 3.3 BUZ76
IRF720
ТО-220
TO-220
mosfet транзистор IRF720, характеристики
КП931 В ТО-220 n 5 IRF734 ТО-220 mosfet транзистор IRF734
КП768 ТО-220 n 5.5 IRF730 ТО-220 mosfet транзистор IRF730
КП707А1 ТО-220 n 6      
КП809Б ТО-218
ТО-3
n 9.6      
КП934А ТО-3 n 10 IRF740 ТО-220 mosfet транзистор IRF740
КП350 ТО-218 n 14 BUZ61 TO-220 mosfet транзистор BUZ61
2П926 А,Б ТО-3 n 16.5      
n 18.4 STW18NB40 TO-247 импортный полевой транзистор на 400В 18А
КП707А ТО-3 n 25 IRFP360 TO-247 mosfet на 400В 25А
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В) ТО-220 n 2.5 IRF820 ТО-220 mosfet транзистор IRF820
КП770 ТО-220 n 8 IRF840 TO-220 mosfet транзистор IRF840
КП809Б,Б1 ТО-218
ТО-3
n 9.6 2SK1162 ТО-3Р mosfet транзистор 2SK1162
КП450 ТО-218 n 12 IRFP450 TO-247 мощный полевой транзистор 500В 14А
КП7182А ТО-218 n 20 IRFP460 ТО-247  
КП460 ТО-218 n 20(23) IRFP22N50 TO-247 мощный полевой транзистор IRF22N50 на 500В 20А
КП7180А,Б ТО-218
ТО-3
n 26(31) IRFP31N50
STW30NM50
TO-247
TO-247,TO-220
мощный полевой транзистор 500В 31А
n 32 SPW32N50 TO-247 мощный полевой транзистор на 500В 32А
n 46 STW45NM50
IRFPS40N50
TO-247
S-247
мощный полевой транзистор на 500В 46А
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:
Раздел: высоковольтные полевые транзисторы.
КП7129А ТО-220 n 1.2 SPP02N60 TO-220 высоковольтный полевой транзистор SPP02N60 на 600В
КП805 (А-В) ТО-220 n 4(3) SPP03N60 TO-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP03N60, характеристики
КП709(А,Б) ТО-220 n 4 IRFBC30 ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBC30, характеристики
КП707Б1 ТО-220 n 4 SPP04N60 ТО-220 мощный высоковольтный полевой транзистор SPP04N60 на 600В
КП7173А ТО-220 n 4      
КП726 (А,Б) smd
ТО-220
n 4.5      
КП931Б
 
ТО-220
 

 
n 5(6.2)
7
IRFBC40
SPP07N60
TO-220
TO-220
MOSFET транзистор 600В 5А
КП809В ТО-218
ТО-3
n 9.6 IRFB9N65A TO-220 мощный высоковольтный полевой транзистор IRFB9N65 на 600В
2П942В ТО-3 n 10 SPP11N60 ТО-220 MOSFET транзистор 600В 10А
КП953Г ТО-218 n 15      
КП707Б ТО-3 n 16.5 SPP20N60
SPW20N60
ТО-220
TO-247
MOSFET транзистор 600В 15А
n 30 STW26NM60 TO-247 полевой транзистор 600В 30А
КП973Б ТО-218 n 30 IRFP22N60
IRFP27N60
TO-247 MOSFET транзистор 600В 30А
n 40 IRFPS40N60 S-247 MOSFET транзистор 600В 40А
n 47 SPW47NM60
FCh57N60
TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А
n 60 IPW60R045 TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1 ТО-220 n 3      
КП728 (Г1-С1) ТО-220 n 3.3      
КП810 (А-В) ТО-218 n 7      
КП809Е ТО-218
ТО-3
n 9.6     мощный высоковольтный полевой транзистор на 700В
2П942Б ТО-3 n 10     MOSFET транзистор 700В 10А
КП707В ТО-3 n 12.5     мощный полевой транзистор 700В 12А
КП953В ТО-218 n 15 MOSFET транзистор 700В 15А
КП973А
 
ТО-218
 

 
n 30
39

IPW60R075

TO-247
полевой транзистор (IRF) 650В 25А
  n 60 IPW60R045 TO-247 полевой транзистор (IRF) 650В 38А
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
n 1.5 BUZ78
IRFBE20
ТО-220
TO-220
высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE20, характеристики
КП931А ТО-220 n 5 IRFBE30 ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE30, характеристики
КП705Б,В ТО-3 n 5.4 SPP06N80 ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP06N80, характеристики
КП809Д ТО-218
ТО-3
n 9.6 STP10NK80 TO-220 мощный полевой транзистор 800В 10А
2П942А ТО-3 n 10 STP12NK80 TO-247 MOSFET транзистор 800В 10А
КП7184А ТО-218 n 15 SPP17N80 ТО-220 мощный полевой транзистор 800В 15А
КП953А,Б,Д ТО-218 n 15     MOSFET транзистор 800В 15А
КП971Б ТО-218 n 25(55) SPW55N80 TO-247 MOSFET транзистор 800В 25А
MOSFET транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б   n 4.5(3.1) IRFBG30 TO-220 высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В
КП705А ТО-3 n 5.4(8) IRFPG50
2SK1120
TO-247
TO-218
мощный высоковольтный полевой транзистор 2SK1120 на 1000В
КП971А ТО-218 n 25(36) IPW90R120 TO-247 высоковольтный mosfet 900В 30А

www.trzrus.ru

Полевые транзисторы "IRF..."

Справочник

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ "IRF..."

Мощные полевые ключевые транзисторы с изолированным затвором, n-канальные, обогащенного типа.

тип.

рис.

Uc-и max

(V)

Ic max

(А)

Р max

(W)

Rc-и

(Ohm)

Си

(nF)

Uз-и

(отс) (V)

Uз-и

max (V)

S

(А/V)

при Ic

(А)

IRF230

А

200

9

75

0.4

0.6

4

20

3-4.8

5

IRF231

А

150

9

75

0.4

0.6

3.5

20

3-4.8

5

IRF232

А

200

8

75

0.6

0.6

3,5

20

3-4,8

5

IRF233

А

150

8

75

0.6

0.6

4

20

3-4,8

5

IRF234

А

250

8

75

0,45

0.6

4

20

3-5

6

IRF235

А

250

6.5

75

0.7

0.6

4

20

3-5

6

IRF236

А

275

8

75

0,45

0.6

4

20

3-4,3

4

IRF237

А

275

6,5

75

0,7

0.6

4

20

3-4,3

4

IRF240

С

200

18

125

0,18

1,3

4

20

6-10

10

IRF241

С

150

18

125

0,18

1,3

4

20

6-10

10

IRF242

С

200

16

125

0,22

1.3

4

20

6-10

10

IRF243

С

150

16

125

0.22

1.3

4

20

6-10

10

IRF244

А

250

14

125

0.28

1.3

4

20

7-10

8

IRF245

А

250

13

125

0,34

1.3

4

20

7-10

8

IRF246

А

275

14

125

0,28

1.3

4

20

7-10

8

IRF247

А

275

13

125

0,34

1,3

4

20

7-10

8

IRF250

С

200

30

150

0,085

2

4

20

8-12

16

IRF251

С

150

30

150

0,085

2

4

20

8-12

16

IRF252

С

200

25

150

0.12

2

4

20

8-12

16

IRF253

С

150

25

150

0,12

2

4

20

8-12

16

IRF254

С

250

22

150

0,14

2,7

4

20

11-17

12

IRF255

А

250

20

150

0.17

2.7

4

20

11-17

12

IRF256

А

275

22

150

0,14

2.7

4

20

11-17

12

IRF257

А

275

20

150

0.17

2.7

4

20

11-17

12

IRF300

А

400

4

125

1.3

1

3

20

1-2.5

2

IRF301

А

350

4

125

1,3

1

3

20

1-2,5

2

IRF305

А

400

5

125

0,008

1

3

20

1-2,5

2

IRF320

А

400

3.3

50

1.8

0.45

3.5

20

1.8-2.7

1.8

IRF321

А

350

3,3

50

1.8

0,45

3.5

20

1.8-2.7

1.8

IRF322

А

400

2.8

50

2.5

0,45

3.5

20

1.8-2.7

1,8

IRF323

А

350

2.8

50

2.5

0,45

3.5

20

1.8-2,7

1,8

IRF330

А

400

5.5

75

1

0.7

4

20

2.9-4

3

IRF331

А

350

5,5

75

1

0.7

4

20

2.9-4

3

IRF333

А

350

4.5

75

1,5

0.7

4

20

2,9-4

3

IRF340

А

400

10

125

0,55

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF341

А

350

10

125

0.55

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF342

А

400

8.3

125

0.8

1,3

4

20

6-8

5.2

IRF343

А

350

8.3

125

0,8

1.3

4

20

6-8

5.2

IRF350

А

400

15

150

0.3

2

4

20

8-10

8

IRF351

А

350

15

150

0.3

2

4

20

8-10

8

IRF352

А

400

13

150

0.4

2

4

20

8-10

8

IRF353

А

350

13

150

0.3

2

3.5

20

8-10

8

IRF360

С

400

25

300

0.2

4

4

20

14-21

14

IRF362

С

400

22

300

0.25

4

4

20

14-21

14

IRF420

А

500

2.5

50

3

0,3

4

20

1,5-2,3

1.4

IRF421

А

450

2.5

50

3

0.3

4

20

1.5-2,3

1.4

IRF422

А

500

2,2

50

4

0.3

4

20

1,5-2,3

1.4

IRF423

А

450

2,2

50

4

0.3

4

20

1.5-2.3

1.4

IRF430

А

500

4,5

75

1.5

0.6

3.5

20

2.7-3.2

2.5

 

тип.

рис.

Uc-и

max (V)

Ic

max

(А)

Рmах

(W)

Rc-и

(Ohm)

Си

(nF)

Uз-и (отс)

(V)

Uз-и max

(V)

S

(А/V)

при Iс

(А)

IRF431

А

450

4,5

75

1.5

0.6

3.5

20

2.7-3.2

2.5

IRF432

А

500

4

75

2

0.6

3.5

20

2,7-3,2

2.5

IRF433

А

450

4

75

2

0.6

3.5

20

2,7-3.2

2.5

IRF440

А

500

8

125

0.85

1.2

4

20

5-7,5

4.5

IRF441

А

450

8

125

0.85

1.2

4

20

5-7.5

4,5

IRF442

А

500

7

125

1.1

1.2

4

20

5-7.5

4.5

IRF443

А

450

7

125

1.1

1.2

4

20

5-7,5

4.5

IRF448

А

500

9,6

130

0.8

1.8

4

20

6.3-9,4

5.5

IRF449

А

500

8.5

130

0.75

1.8

4

20

6,3-9.4

5,5

IRF450

А

500

13

125

0.4

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF451

А

450

13

125

0.4

1.8

4

20

6-11

7,2

IRF452

А

500

11

125

0.5

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF453

А

450

11

125

0,5

1.8

4

20

6-11

7.2

IRF510

В

100

5.6

43

0.54

0.135

4

20

1.3-2

3.4

IRF511

В

80

5.6

43

0.54

0.15

4

20

1,3-2

3.4

IRF512

В

100

4.9

43

0.74

0.135

4

20

1,3-2

3.4

IRF513

в

80

4.9

43

0.74

0,135

4

20

1,3-2

3,4

IRF520

в

100

9.2

60

0,27

0.35

4

20

2,7-4.1

5,8

IRF521

в

80

9.2

60

0,27

0,35

4

20

2,7-4.1

5,6

IRF522

в

100

8

60

0.36

0.35

4

20

2.7-4.1

5,6

IRF523

в

80

8

60

0.36

0,35

4

20

2.7-4,1

5,8

IRF530

в

100

14

80

0.18

0.6

4

20

5.1-7,6

8,3

IRF531

в

80

14

80

0,18

0.6

4

20

5.1-7,6

8,3

IRF532

в

100

12

80

0.25

0.6

4

20

5,1-7,6

8.3

IRF533

в

60

12

80

0.25

0.6

4

20

5.1-7,6

8.3

IRF540

в

100

28

150

0,077

1.45

4

20

8.7-13

17

IRF541

в

80

28

150

0.077

1.45

4

20

8.7-13

17

IRF542

в

100

25

150

0,1

1.45

    4

20

8.7-13

17

IRF543

в

80

25

150

0.1

1.45

4

20

8.7-13

17

Uc-и max - максимально допустимое напряжение между стоком и истоком (V).

Ic max - максимально допустимый ток стока (А). Рmах • максимально допустимая мощность рассеяния на стоке (W).

Rc-и - минимальное эквивалентное сопротивление сток-исток в полностью открытом состоянии (Ohm).

Си - емкость стока (nF).

Uз-и (отс) — максимальное напряжение отсечки между затвором и истоком (V).

Uз-и max - пробивное напряж. затвор-исток (V). S(A/V) - крутизна ампер-вольтовой характеристики, от и до.

при Iс - ток стока (А) при котором измерялась

S(A/V).


radiopolyus.ru

Справочник по MOSFET транзисторам

20- 25 В

 

 

 

 

 

IRL3714ZSPBF

20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak

IRL3715ZSPBF

20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak

IRF3704ZSPBF

20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3711ZSPBF

20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak

IRF1324SPBF

24V, 340A, 1.65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF1324S-7PPBF

24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin

30 В

 

 

 

 

IRF3707ZSPBF

30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3709ZSPBF

30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak

IRL8113SPBF

30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak

IRL7833SPBF

30V, 150A, 3.8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak

IRF2903ZSPBF

30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

40 В

IRF4104SPBF

40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak

IRF1404ZSPBF

40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

IRF2804SPBF

40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3004PBF

40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF2804S-7PPBF

40V, 320A, 1.6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin

IRFS3004-7PPBF

40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

55 - 60 В

IRFS3806PBF

60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak

IRFZ44ZSPBF

55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak

IRF1018ESPBF

60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRF3205ZSPBF

55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak

IRFS3306PBF

60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak

IRFS3206PBF

60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006PBF

60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006-7PPBF

60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin

75 - 80 В

IRFS3607PBF

75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRFS3307ZPBF

75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak

IRFS3207ZPBF

75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107PBF

75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107-7PPBF

75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

100 В

IRF540ZSPBF

100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak

IRF3710ZSPBF

100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak

IRFS4610PBF

100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak

IRFS4410ZPBF

100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak

IRFS4310ZPBF

100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010PBF

100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010-7PPBF

100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak  7-pin

150 В

IRFS4615PBF

150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak

IRFS4321PBF

150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115PBF

150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115-7PPBF

150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak  7-pin

200 В

IRFS4020PBF

200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak

IRFS4620PBF

200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak

IRFS4227PBF

200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak

IRFS4127PBF

200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak

250 В

IRFS4229PBF

250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak

micpic.ru

Мощные полевые транзисторы-принцип работы, применение

Существует два главных основополагающих типа полевых (униполярных, управляемых напряжением) транзисторов, являющихся активными полупроводниковыми элементами, обладающими высокой мощностью – это n-канальные иp-канальные.

Первые из них применяются более часто и отличаются наибольшим диапазоном токов и напряжений. Кроме этих моделей производятся полевые транзисторы, управляемые сигналом логического уровня, они обладают ограничением по току и защелкой по напряжению.

Определение полевого транзистора

Транзистор полевого типа считается полупроводниковым прибором, в конструкции которого регулировка осуществляется измерением проводимости проводящего канала, благодаря использованию поперечного электрического поля.

Другими словами, он является источником тока, который управляется Uз-и. От параметра напряжения между затвором и истоком зависит проводимость канала. Помимо p–n – канальных транзисторов существует их разновидность с затвором из металла, который изолирован от канала кремниевым диэлектриком. Это МДП-транзисторы (металл – диэлектрик, (окисел) – проводник). Транзисторы с использованием окисела называются МОП-транзисторы.

Параметры, характеризующие полевой транзистор

  1. Ширина канала – расстояние между p-n-переходами W.
  2. Напряжение отсечки — напряжение на затворе при исчезновении каналов.
  3. Напряжение насыщения – с него начинается формирование пологой части ВАХ.
  4. Стоко-затворная ВАХ (вольт-амперная характеристика).

Мощный полевой транзистор

Рис. №1. Стоко-затворная ВАХ n-канального транзистора с

Ic= Icmax (IUзи / U0)2 , здесь Icmax стока.

  1. Крутизна определяется по формуле S = dIc / dUзи(мА/В),что является следствием увеличенияU рабочего стока, при этом крутизна полевого транзистора становится меньше.
  2. Внутреннее сопротивление транзистора (дифференциальное сопротивление) rcсоставляет в пологой части характеристики несколько МОм.
  3. Лавинный пробой p-n-переходов возможен после повышения напряжения области стока и истока, что считается причиной ограничения применения полевого транзистора относительноUc.
  4. Коэффициент усиления относительно напряжения µu= srспри уменьшении величины тока стока коэффициент µuповышается.
  5. Инерционность полевого транзистора обуславливается временем,отводимым на заряд барьерной емкости переходов затвора.
  6. Полевой транзистор обладает граничной частотой для улучшения своих качественных частотных свойств.

Проводимость транзистора

Существует две разновидности проводимости – электронная и дырочная, это означает, что в основе работы лежит использование электронов и дырок. Транзистор с электронной проводимостью относится к n-канальным устройствам, p-канальные транзисторы обладают дырочной проводимостью.

Отличие полевых униполярных транзисторов от биполярных заключается в наличии значительно высокого значения величины входного сопротивления. Потребление электроэнергии полевыми транзисторами отличается значительной экономией.

Небольшие габаритные размеры МОП-транзисторах позволяет занимать очень малую площадь в конструкции интегральной схемы, в противоположность биполярным аналогам. Благодаря этому достигается значительно уплотненная компоновка элементов в интегральных схемах. Технология производства интегральной схемы на МОП-транзисторах затрачивает намного меньшее количество операций, чем технология производства ИС с применением биполярного транзистора.

Структура полевого транзистора

Основополагающий принцип работы, на котором осуществляется действие полевого транзистора с использованием управляющего p-n-перехода основывается на изменении проводимости канала, которая возможна благодаря изменению поперечного сечения. Сток и исток включают напряжение полярности, при котором главные носители заряда (ими являются электроны в канале n-типа) движутся от истока к стоку. В свою очередь, между затвором и истоком включается отрицательное напряжение, управляющее запиранием p – n–переходом.

Мощный полевой транзистор

Рис. №2. Структуры (а) полевых транзисторов с управляющим pn-перехода и (б) структура транзистора с изолированным затвором.

При большем значении напряжения расширяется запирающий активный слой и канал становится уже. С уменьшением поперечного размера канала происходит увеличение сопротивления и уменьшение величины тока между стоком и истоком. Это действие позволяет управлять протеканием тока. При невысоком значении напряжения затвор  — исток происходит перекрытие канала запирающим слоем, что снижает проводимость канала. Ширина канала варьируется от нулевого значения  до отрицательных величин, иначе говоря, p-n-переходы затвора сдвигаются в обратном направлении, сопротивление увеличивается.

Напряжение на затворе после исчезновения канала и смыкании  p-n-перехода, определяется, как напряжение отсечки U0– это величина считается одной из основополагающих для всех  разновидностей полевых транзисторов.

Мощный полевой транзистор

Рис. №3. Структура полевого транзистора. Канал, расположенный между электродами стоком и истоком сформирован из слабообогащенного полупроводника n-типа.

 

Сфера использования полевых транзисторов

Полевой транзистор является устройством, рассчитанным на большую мощность, характерным в конструкции регуляторов, конвертеров, драйверов, электродвигателей, реле и мощных биполярных транзисторов. Они применяются в конструкции зарядных устройств, автоэлектроники, устройствах управления температурным режимом, широкополосных и малошумящих усилителях в схемах зарядочувствительных предусилителей и прочее.  Для полевых транзисторов характерно наличие высокого входного сопротивления. Управление полевым транзистором производится непосредственно от микросхемы, без применения добавочных усиливающих каскадов.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Поделиться ссылкой:

elektronchic.ru

Управление мощной нагрузкой постоянного тока. Часть 3.

Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы.
Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением.

МОП (по буржуйски MOSFET) расшифровывается как Метал-Оксид-Полупроводник из этого сокращения становится понятна структура этого транзистора.

Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает. Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана.

Достоинство такого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной, по факту он потребляет только в момент переключения, когда идет заряд и разряд конденсатора.

Недостаток же вытекает из его емкостного свойства — наличие емкости на затворе требует большого зарядного тока при открытии. В теории, равного бесконечности на бесконечно малом промежутки времени. А если ток ограничить резистором, то конденсатор будет заряжаться медленно — от постоянной времени RC цепи никуда не денешься.

МОП Транзисторы бывают P и N канальные. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь. Очень часто транзисторы делают в виде комплиментарных пар. То есть есть две модели с совершенно одиннаковыми характеристиками, но одна из них N, а другая P канальные. Маркировка у них, как правило, отличается на одну цифру.

Нагрузка включается в цепь стока. Вообще, в теории, полевому транзистору совершенно без разницы что считать у него истоком, а что стоком — разницы между ними нет. Но на практике есть, дело в том, что для улучшения характеристик исток и сток делают разной величины и конструкции плюс ко всему, в мощных полевиках часто есть обратный диод (его еще называют паразитным, т.к. он образуется сам собой в силу особенности техпроцесса производства).

У меня самыми ходовыми МОП транзисторами являются IRF630 (n канальный) и IRF9630 (p канальный) в свое время я намутил их с полтора десятка каждого вида. Обладая не сильно габаритным корпусом TO-92 этот транзистор может лихо протащить через себя до 9А. Сопротивление в открытом состоянии у него всего 0.35 Ома.
Впрочем, это довольно старый транзистор, сейчас уже есть вещи и покруче, например IRF7314, способный протащить те же 9А, но при этом он умещается в корпус SO8 — размером с тетрадную клеточку.

Одной из проблем состыковки MOSFET транзистора и микроконтроллера (или цифровой схемы) является то, что для полноценного открытия до полного насыщения этому транзистору надо вкатить на затвор довольно больше напряжение. Обычно это около 10 вольт, а МК может выдать максимум 5.
Тут вариантов три:

  • На более мелких транзисторах сорудить цепочку, подающую питалово с высоковольтной цепи на затвор, чтобы прокачать его высоким напряжением
  • применить специальную микросхему драйвер, которая сама сформирует нужный управляющий сигнал и выровняет уровни между контроллером и транзистором. Типичные примеры драйверов это, например, IR2117.

    Надо только не забывать, что есть драйверы верхнего и нижнего плеча (или совмещенные, полумостовые). Выбор драйвера зависит от схемы включения нагрузки и комутирующего транзистора. Если обратишь внимание, то увидишь что с драйвером и в верхнем и нижнем плече используются N канальные транзисторы. Просто у них лучше характеристики чем у P канальных. Но тут возникает другая проблема. Для того, чтобы открыть N канальный транзистор в верхнем плече надо ему на затвор подать напряжение выше напряжения стока, а это, по сути дела, выше напряжения питания. Для этого в драйвере верхнего плеча используется накачка напряжения. Чем собственно и отличается драйвер нижнего плеча от драйвера верхнего плеча.

  • Применить транзистор с малым отпирающим напряжением. Например из серии IRL630A или им подобные. У них открывающие напряжения привязаны к логическим уровням. У них правда есть один недостаток — их порой сложно достать. Если обычные мощные полевики уже не являются проблемой, то управляемые логическим уровнем бывают далеко не всегда.

Но вообще, правильней все же ставить драйвер, ведь кроме основных функций формирования управляющих сигналов он в качестве дополнительной фенечки обеспечивает и токовую защиту, защиту от пробоя, перенапряжения, оптимизирует скорость открытия на максимум, в общем, жрет свой ток не напрасно.

Выбор транзистора тоже не очень сложен, особенно если не заморачиваться на предельные режимы. В первую очередь тебя должно волновать значение тока стока — I Drain или ID выбираешь транзистор по максимальному току для твоей нагрузки, лучше с запасом процентов так на 10. Следующий важный для тебя параметр это VGS — напряжение насыщения Исток-Затвор или, проще говоря, управляющее напряжение. Иногда его пишут, но чаще приходится выглядывать из графиков. Ищешь график выходной характеристики Зависимость ID от VDS при разных значениях VGS. И прикидыываешь какой у тебя будет режим.

Вот, например, надо тебе запитать двигатель на 12 вольт, с током 8А. На драйвер пожмотился и имеешь только 5 вольтовый управляющий сигнал. Первое что пришло на ум после этой статьи — IRF630. По току подходит с запасом 9А против требуемых 8. Но глянем на выходную характеристику:

Видишь, на 5 вольтах на затворе и токе в 8А падение напряжения на транзисторе составит около 4.5В По закону Ома тогда выходит, что сопротивление этого транзистора в данный момент 4.5/8=0.56Ом. А теперь посчитаем потери мощности — твой движок жрет 5А. P=I*U или, если применить тот же закон Ома, P=I2R. При 8 амперах и 0.56Оме потери составят 35Вт. Больно дофига, не кажется? Вот и мне тоже кажется что слишком. Посмотрим тогда на IRL630.

При 8 амперах и 5 вольтах на Gate напряжение на транзисторе составит около 3 вольт. Что даст нам 0.37Ом и 23Вт потерь, что заметно меньше.

Если собираешься загнать на этот ключ ШИМ, то надо поинтересоваться временем открытия и закрытия транзистора, выбрать наибольшее и относительно времени посчитать предельную частоту на которую он способен. Зовется эта величина Switch Delay или ton,toff, в общем, как то так. Ну, а частота это 1/t. Также не лишней будет посмотреть на емкость затвора Ciss исходя из нее, а также ограничительного резистора в затворной цепи, можно рассчитать постоянную времени заряда затворной RC цепи и прикинуть быстродействие. Если постоянная времени будет больше чем период ШИМ, то транзистор будет не открыватся/закрываться, а повиснет в некотором промежуточном состоянии, так как напряжение на его затворе будет проинтегрировано этой RC цепью в постоянное напряжение.

При обращении с этими транзисторами учитывай тот факт, что статического электричества они боятся не просто сильно, а ОЧЕНЬ СИЛЬНО. Пробить затвор статическим зарядом более чем реально. Так что как купил, сразу же в фольгу и не доставай пока не будешь запаивать. Предварительно заземлись за батарею и надень шапочку из фольги :).

А в процессе проектирования схемы запомни еще одно простое правило — ни в коем случае нельзя оставлять висеть затвор полевика просто так — иначе он нажрет помех из воздуха и сам откроется. Поэтому обязательно надо поставить резистор килоом на 10 от Gate до GND для N канального или на +V для P канального, чтобы паразитный заряд стекал. Вот вроде бы все, в следующий раз накатаю про мостовые схемы для управления движков.

easyelectronics.ru

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

     Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным полевым транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

Мощные полевые транзисторы:

Импортные.  Отечественные.
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы: 

Импортные.  Отечественные. 
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

   Справочники радиодеталей

elwo.ru

Оставить комментарий

avatar
  Подписаться  
Уведомление о