Даташит микросхемы та2019р – Datasheet.ru — глобальный поиск даташитов

DataSheet — Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

U2010B спроектирована как микросхема для фазового управления по биполярной технологии. Она позволяет отслеживать нагрузку по току и имеет функцию плавного пуска, а также выход опорного напряжения. Предпочтительными применениями являются управление двигателем с обратной связью по току и защитой от перегрузки.

Функции:

  • Измерение полного волнового тока
  • Коррекция изменения питающей сети
  • Программируемое ограничение тока нагрузки с выходом сверхвысокой мощности
  • Изменяемый плавный пуск
  • Синхронизация напряжения и тока
  • Автоматическая перезагрузка
  • Типовой переключающий импульс 125 мА
  • Внутренний контроль напряжения питания
  • Потребляемый ток ≤ 3 мА
  • Температурная компенсация опорного напряжения

Читать далее «U2010B — Микросхема фазового управления с обратной связью по току и защитой от перегрузки.» →

Обзор продукта

BTS 5242-2L — это двухканальный силовой переключатель верхнего плеча в корпусе PG-DSO-12-9 (рис.1), оснащенный встроенной защитной функцией.

Силовой транзистор построен на N-канальном силовом (полевом) МОП-транзисторе с вертикальной структурой и подкачкой заряда. Твердотельный прибор разработан по технологии Smart SIPMOS.

 

Рисунок 1. BTS 5242-2L в корпусе PG-DSO-12-9

Читать далее «BTS 5242-2L Интеллектуальный силовой переключатель верхнего плеча, Двухканальный, 25 мОм» →

Функции

  • Выходной ток до 1 А
  • Выходные напряжения: 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 24 В
  • Тепловая защита от перегрузки
  • Защита от короткого замыкания
  • Защита выхода транзистора в рабочей области

Описание

Серия трехвыводных положительных стабилизаторов LM78XX доступна в корпусе TO-220 и с несколькими фиксированными выходными напряжениями, делая их полезными в широком спектре применений. Каждый тип использует внутреннее ограничение тока, тепловое отключение и защиту рабочей области. Если предусмотрено достаточное теплоотведение, они могут обеспечивать выходной ток более 1 А. Несмотря на то, что эти устройства предназначены главным образом в качестве фиксированных регуляторов напряжения, также могут использоваться с внешними компонентами для регулирования напряжений и токов.

Рис. 1. Корпус ТО-220

Читать далее «LM78XX / LM78XXA 3-х выводной 1 А положительный стабилизатор напряжения» →

1. Функции

  • Широкий диапазон напряжения питания от 4.5 В до 36 В
  • Отдельный вход источника питания для логической части
  • Внутренняя защита от электростатического разряда
  • Входы с высоким уровнем помехоустойчивости
  • Возможность выходного тока на канал – 1 A (600 мА для L293D)
  • Пиковый выходной ток на канал – 2 А (1.2 A для L293D)
  • Выходные ограничительные диоды для подавления индуктивных переходных процессов (L293D)

2. Применение

  • Драйверы для шаговых двигателей
  • Драйверы для двигателей постоянного тока
  • Драйверы для фиксации состояния реле

 

Логическая схема ИС L293D, L293DD

Читать далее «Четырехканальный H-мостовой драйвер L293x» →

Общее описание

PT4115 представляет собой индуктивный понижающий преобразователь с непрерывным режимом работы, предназначенный для управления одним или несколькими последовательно подключенными светодиодами, питающимися от источника напряжения выше, чем общее напряжение цепи светодиодов. Микросхема может работать от источника питания с напряжением от 6 до 30 В и обеспечивает внешний регулируемый выходной ток до 1,2 А. В зависимости от напряжения питания и внешних компонентов, PT4115 может обеспечивать выходную мощность более 30 Вт. PT4115 включает в себя выключатель питания и схему контроля выходного тока, которая использует внешний резистор для установки номинального среднего выходного тока, а на отдельный вход DIM можно подавать либо постоянное напряжение, либо широкий диапазон ШИМ. Если подать напряжение 0,3 В или меньше на вывод DIM, отключает выход и микросхема переходит в ждущий режим. PT4115 выпускается в корпусах SOT89-5 и ESOP8.

Свойства

  • Малое количество подключаемых внешних компонентов
  • Широкий диапазон напряжения питания: от 6 до 30 В
  • Выходной ток до 1.2 А
  • Один вывод для включения/выключения и регулировки яркости, использующий постоянное напряжение или ШИМ
  • Частота коммутации до 1 МГц
  • Номинальная точность поддержания выходного тока 5%
  • Встроенная схема отключения для защиты светодиодов
  • Высокий К.П.Д. (до 97%)
  • Отслеживание тока на стороне высокого напряжения
  • Гистерезисное управление: без компенсации
  • Регулируемый постоянный ток светодиода
  • Корпус ESOP8 для схем с большой выходной мощностью
  • Соответствует RoHS

Читать далее «PT4115 — Понижающий преобразователь (драйвер светодиодов)» →

Схема фазового управления с обратной связью

Описание:

Интегральная схема U211B2/B3 разработана как схема фазоконтроля по биполярной технологии с внутренним преобразователем частоты (аналог TDA1085). Кроме того, микросхема оснащена встроенным усилителем сигнала управления и может использоваться для регулирования скорости вращения электродвигателя. Он имеет интегрированное ограничение нагрузки, мониторинг цепи тахометра и функции плавного пуска и многое другое для реализации сложных систем управления двигателем.

Особенности (свойства):
  • Внутренний преобразователь частоты в напряжение
  • Интегрированный усилитель с внешним управлением
  • Ограничение перегрузки с «откидной» характеристикой
  • Оптимизированная функция плавного пуска
  • Мониторинг тахометра для замкнутого и разомкнутого контура
  • Автоматическая перезагрузка
  • Стандартное значение импульса срабатывания: 155 мА
  • Синхронизация напряжения и тока
  • Внутренний мониторинг напряжения питания
  • Источник задания температуры
  • Потребление тока ≤ 3,3 мА

Читать далее «U211B2/B3 — Регулятор оборотов коллекторного двигателя» →

Свойства

  • Мощные симисторы
  • Низкое тепловое сопротивление
  • Высокая коммутирующая способность
  • Сертифицированы по стандарту UL1557
  • Корпусы соответствуют директиве RoHS (2002/95/EC)

 

Применение

 

Описание

Доступны в мощных корпусах. Симисторы серии BTA / BTB40-41 подходят для коммутации переменного тока общего назначения. Серия BTA снабжена изолированным язычком (номинальное среднеквадратичное напряжение пробоя 2500 В).

 

Типы корпусов (A1, A2 — аноды, G — управляющий электрод)

Читать далее «Симисторы серии BTA40, BTA41, BTB41» →

Расположение выводов IRF740

Описание

Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.

Читать далее «IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор» →

Свойства

  • Управляющие каналы предназначены для работы под нагрузкой

— Полностью работоспособны при напряжении до +600 В

— Нечувствителен к отрицательным переходным напряжениям

— Невосприимчив к скорости нарастания напряжения dV/dt

Купить IR2104

Читать далее

rudatasheet.ru

Микросхемы — DataSheet

 К118УД1 (А, Б, В) К118УН1 (А, Б, В, Г, Д)   К118УН2 (А, Б, В)
 К118УП1 (А, Б, В, Г)  К118ТЛ1 (А, Б, В, Г, Д)  К122УН1 (А, Б, В, Г, Д)
 К122УН2 (А, Б, В)  К140УД1 (А, Б, В), КР140УД1 (А, Б, В)  К140УД2 (А, Б)
 К140УД5 (А, Б) КР140УД5 (А, Б)  К140УД6, КР140УД6, КР140УД608  К140УД7, КР140УД7, КР140УД708, КФ140УД7
 К140УД8(А-В), КР140УД8(А-В)  К140УД11  К140УД12, КР140УД12, КР140УД1208
 К140УД13  КР140УД1408А, КР140УД1408Б  К140УД17 (А,Б), КР140УД17 (А,Б)
 КР140УД18  КР140УД20 (А, Б), КМ140УД20  К140УД22, К140УД2201, КР140УД22
 К140УД23  К142ЕН3(А, Б), К142ЕН4(А, Б)  К142ЕН5(А-Г), КР142ЕН5(А-Г)
 К142ЕН6(А-Е)  К142ЕН1(А-Г), КР142ЕН1(А-Г), К142ЕН2(А-Г), КР142ЕН2(А-Г)  К142ЕН8(А-Е), КР142ЕН8(А-Е)
 К142ЕН9(А-Е), КР142ЕН9(А-Е)  КР142ЕН12(А,Б)  КР142ЕН14
 КР142ЕН18  К142ЕП1(А,Б), КР142ЕП1(А,Б)  К148УН1
 К153УД1А, К153УД101А  К153УД2, К153УД201  К153УД5, К153УД501
 К153УД6, К153УД601  К155ИД1, КБ155ИД1-4, КМ155ИД1  К155ИЕ2, КМ155ИЕ2
 К155ИЕ4, КМ155ИЕ4  К155ИЕ5, КМ155ИЕ5  К155ИЕ9
К157ДА1  К157УД3  К165ГФ1
 КР165ГФ2  К174ГФ1   К174ГФ2, КБ174ГФ2-4 
К174КН2  К174КП3  К174УВ5
К174УН5  К174УН19  К174УР11
К174ХА19  К174ХА26  К174ХА27
К174ХА28, КБ174ХА28-4  К174ХА31, КБ174ХА31-4  К174ХА33
К174ХА34 К174ХА35  К174АФ1А
К174АФ4А, К174АФ4МА  К174УН14  К174УН15
КФ174УН17  К174УП1, К174УП1М  К174УР2
К174УН11  К174УН7  К174УН4А, К174УН4Б
К157УД1  К174ПС1, КФ174ПС1  К174ГЛ1, К174ГЛ1А
К157ХП3, КА157ХП3  К174УР5  К174УР7
К174ХА1, К174ХА1М  К174ХА2, К174ХА02  К174УР4
К157ХП2  К157ХП1 К157ХА2
К157ХА1А, К157ХА1Б  К157УП1(А,Б), КБ157УП1Б-4, К157УП2(А,Б), КБ157УП2Б-4  К157УН1А, К157УН1Б
К157УЛ1А, К157УЛ1Б  К174КП1  К174ПС4
К157УД2, КБ157УД2-4  К174УК1  К174УН9
К174УН10А, К174УН10Б  К174УН12  К174УР3, К174УР3М
К174УР1, К174УР1М  К174АФ5 К174ХА3А, К174ХА3Б
К174ХА6  К174ХА9  К174ХА10
К174ХА8  К174ХА11  К174ХА16
К174ХА17  КР1005ХА7  КР1005УЛ1 (А, Б)
К590КН8 (А, Б), КР590КН8 (А, Б)  К572ПВ1 (А, Б, В)  К572ПА2 (А, Б, В)
КФ1407УД4  К1407УД3, КР1407УД3  К1407УД2, КР1407УД2
К1407УД1, КР1407УД1  К1401УД2 (А, Б), К1401УД3  К1401УД1
К1118ПА1, КМ1118ПА1  КР198НТ1 (А, Б)  КР198НТ5 (А, Б)
К538УН1  К538УН2, КР538УН2  К538УН3 (А, Б), КР538УН3 (А, Б)
К548УН1 (А, Б, В)  К548УН2  К572ПА1(А-Г)
К574УД1 (А, Б, В), КР574УД1 (А, Б, В)  К574УД2 (А, Б), КР574УД2 (А, Б)  К590КН1, КР590КН1
К590КН2, КР590КН2  К590КН3, КР590КН3  К590КН4, КР590КН4
К590КН5, КР590КН5  К590КН6, КР590КН6  К590КН7, КР590КН7
К590КН9, КР590КН9  К1003ПП1  КР1005ПС1
КР1005ПЦ2  КР1005ХА1  КР1005ХА2
КР1005ХА4  КР1005ХА5  КР1005ХА6
КР1006ВИ1  КР1014КТ1 (А, Б, В)  КР1017ХА1
К1100СК2, КР1100СК2  К1108ПВ1 (А, Б)  К1114ЕУ3
К1107ПВ1, КР1107ПВ1  К1107ПВ2  К1108ПА1 (А, Б)
К1108ПП1, КР1108ПП1  К1109КТ2  К1109КТ (21, 22, 23, 24)
К1109КТ (61, 62, 63, 64, 65)  К1113ПВ1 (А, Б, В)

rudatasheet.ru

IR2153 — параметры микросхемы, даташит и схемы блоков питания

На основе микросхемы IR2153 и силовых IGBT транзисторов было сконструировано множество схем, таких как драйвер и генератор индукционного нагревателя, источник питания для катушки Тесла, DC-DC преобразователи, импульсные источники питания и так далее. А связка NGTB40N120FL2WG + IR2153 работают вместе как нельзя лучше, где IR2153 является драйвером — задающим генератором импульсов, а пара биполярных транзисторов с изолированным затвором на 40А/1000В может обрабатывать большой ток нагрузки.

Схемы включения IR2153

Принципиальная схема включения IR2153IR2153 — схема электрическая БПСхема Теслы на IR2153

Если вы собираетесь повторить одну из этих схем — вот архив с файлами печатных плат. Схема формирователя стробирующих импульсов для их управления работает от 15 В постоянного тока — на транзисторы выходного каскада подаётся до 400 В напряжения.

IR2153 импульсный блок питания на плате

Кстати, IR2153 — это улучшенная версия популярных микросхем IR2155 и IR2151, которая включает высоковольтный полумостовой драйвер затвора. IR2153 предоставляет больше возможностей и проще в использовании, чем предыдущие м/с. Тут имеется функция отключения, так что оба выхода формирователя стробирующих импульсов могут быть отключены с помощью низкого напряжения сигнала. Помехоустойчивость была значительно улучшена, как за счет снижения пиковых импульсов. Наконец, особое внимание было уделено максимально всесторонней защите от электростатических разрядов на всех выводах.

Особенности БП на IR2153

  • Питание нагрузки от 60 до 400 В DC
  • Напряжение питания драйвера 15 В DC
  • Частоты генерации 12 кГц — 100 кГц
  • Скважность приблизительно 50%
  • Ручной потенциометр для установки частот

Технические характеристики микросхем и транзисторов

МИКРОСХЕМА

Максимальное напряжение драйвера

Напряжение питания старта

Напряжение питания стопа

Максимальный ток для зарядки затворов силовых транзисторов / время нарастания

Максимальный ток для разрядки затворов силовых транзисторов / время спада

Напряжение внутреннего стабилитрона

IR2151

600 V

7,7…9,2 V

7,4…8,9 V

100 mA / 80…120 nS

210 mA / 40…70 nS

14,4…16,8 V

IR2153

600 V

8,1…9,9 V

7,2…8,8 V

НЕ УКАЗАНО / 80…150 nS

НЕ УКАЗАНО / 45…100 nS

14,4…16,8 V

IR2155

600 V

7,7…9,2 V

7,4…8,1 V

210 mA / 80…120 nS

420 mA / 40…70 nS

14,4…16,8 V

 

ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ ИМПУЛЬСНЫХ БП

НАИМЕН.

НАПР.

ТОК

СОПР.

МОЩНОСТЬ

ЕМКОСТЬ
ЗАТВОРА

Qg
(ПРОИЗВ.)

СЕТЕВЫЕ (220 V)

IRFBC30

600V

3.6A

1.8 Ω

100W

660pF

17…23nC (ST)

IRFBC40

600V

6.2A

1 Ω

125W

1300pF

38…50nC (ST)

IRF740

400V

10A

0.48 Ω

125W

1400pF

35…40nC (ST)

IRF840

500V

8A

0.85 Ω

125W

1300pF

39…50nC (ST)

STP8NK80Z

800V

6A

1.3 Ω

140W

1300pF

46nC (ST)

STP10NK60Z

600V

10A

0.75 Ω

115W

1370pF

50…70nC (ST)

STP14NK60Z

600V

13A

0.5 Ω

160W

2220pF

75nC (ST)

STP25NM50N

550V

22A

0.14 Ω

160W

2570pF

84nC (ST)

IRFB18N50K

500V

17A

0.26 Ω

220W

2830pF

120nC (IR)

SPA20N60C3

650V

20A

0.19 Ω

200W

2400pF

87…114nC (IN)

STP17NK40Z

400V

15A

0.25 Ω

150W

1900pF

65nC (ST)

STP8NK80ZFP

800V

6A

1.3 Ω

30W

1300pF

46nC (ST)

STP10NK60FP

600V

10A

0.19 Ω

35W

1370pF

50…70nC (ST)

STP14NK60FP

600V

13A

0.5 Ω

160W

2220pF

75nC (ST)

STP17NK40FP

400V

15A

0.25 Ω

150W

1900pF

65nC (ST)

STP20NM60FP

600V

20A

0.29 Ω

45W

1500pF

54nC (ST)

IRFP22N60K

600V

22A

0.24 Ω

370W

3570pF

150nC (IR)

IRFP32N50K

500V

32A

0.135 Ω

460W

5280pF

190nC (IR)

IRFPS37N50A

500V

36A

0.13 Ω

446W

5579pF

180nC (IR)

IRFPS43N50K

500V

47A

0.078 Ω

540W

8310pF

350nC (IR)

IRFP450

500V

14A

0.33 Ω

190W

2600pF

150nC (IR)
75nC (ST)

IRFP360

400V

23A

0.2 Ω

250W

4000pF

210nC (IR)

IRFP460

500V

20A

0.27 Ω

280W

4200pF

210nC (IR)

SPW20N60C3

650V

20A

0.19 Ω

200W

2400pF

87…114nC (IN)

SPW35N60C3

650V

34A

0.1 Ω

310W

4500pF

150…200nC (IN)

SPW47N60C3

650V

47A

0.07 Ω

415W

6800pF

252…320nC (IN)

STW45NM50

550V

45A

0.1 Ω

417W

3700pF

87…117nC (ST)

Возможные изменения

Частота колебаний генератора регулируется потенциометром и охватывает диапазон от 10 кГц до 100 кГц, скважность 50%.

Готовый БП на IR2153

Естественно и другие МОП-транзисторы или IGBT могут быть использованы в приведённых схемах. Не забывайте, что транзисторы требуют большого размера радиатор. Скачать даташит на IR2153 можно по ссылке.

2shemi.ru

Даташиты микросхем и электронных компонентов

Datasheet Asset Identification EEPROM AT24RF08C Скачать, 431 КБ
Datasheet Maxim +5V RS-232 Driver/Receivers MAX232A, MAX220-MAX249 Скачать, 372 КБ
Datasheet Atmel CryptoMemory 2 Kbit AT88SC0204C Скачать, 382 КБ
Datasheet Atmel CryptoMemory AT88SC0204CA Скачать, 660 КБ
Datasheet ST ST24C04, ST25C04, ST24W04, ST25W04 4Kbit Serial I2C EEPROM Скачать, 130 КБ
Datasheet ST ST24/25C02, ST24C02R, ST24/25W02 Serial 2K EEPROM Скачать, 148 КБ
Datasheet-АТ24C01, АТ24С02, АТ24С04, АТ24С08, АТ24С16 Скачать, 242 КБ
Datasheet Atmel 2-Wire Serial EEPROM AT34C02 Скачать, 188 КБ
Datasheet Atmel Three-wire Serial EEPROMs AT93C46, AT93C56, AT93C66 Скачать, 372 КБ
Datasheet ST 1/2/4/8/16 Kbit serial I2C EEPROM M24C01, M24C02, M24C04, M24C08, M24C16 Скачать, 505 КБ
Datasheet ST 2Kbit Serial I2C EEPROM M34C02 Скачать, 165 КБ
Datasheet Dallas DS2432 1k-bit Protected 1-Wire EEPROM Скачать, 170 КБ
Datasheet Dallas Maxim DS2502 1Kb Add-Only Memory Скачать, 664 КБ
Datasheet Dallas DS2430А 256-bit 1-Wire EEPROM Скачать, 361 КБ
Datasheet Dallas Maxim DS2433 4Kb 1-Wire EEPROM Скачать, 564 КБ
Datasheet Maxim DS2431 1024-bit 1-Wire EEPROM Скачать, 269 КБ
Datasheet Dallas Maxim DS2438 Smart Battery Monitor Скачать, 369 КБ
Datasheet Microchip PIC12F683 8-bit CMOS Скачать, 2 987 КБ
Datasheet Atmel 8-bit Microcontroller ATtiny24/44/84 Скачать, 2 276 КБ
Datasheet Atmel 8-bit Microcontroller ATtiny25/45/85 Скачать, 3 335 КБ
Datasheet Microchip 24AA02/24LC02B 2K I2C Serial EEPROM Скачать, 585 КБ
Datasheet Microchip 24AA256/24LC256/24FC256 256K I2C CMOS Serial EEPROM Скачать, 340 КБ
Datasheet ST TDA7560 4x45W Quad Bridge Car Radio Amplifier plus HSD Скачать, 359 КБ
Datasheet TNY263-268 TinySwitch-II Скачать, 1 202 КБ
Datasheet Maxim MAX8741/MAX8742 500kHz Multi-Output Power-Supply Controllers Скачать, 1 001 КБ
Информация по типоразмерам smd-варисторов Скачать, 275 КБ
Информация по типоразмерам smd-компонентов Скачать, 187 КБ
Информация по маркировке варисторов Скачать, 636 КБ
Аналоги биполярных транзисторов Скачать, 160 КБ
Проволочные резисторы Скачать, 329 КБ
6-Pin DIP Optoisolators Transistor Output 4N25/4N25A/4N26/4N27/4N28 Скачать, 281 КБ
4-Pin Phototransistor Optocouplers h21AA814/h21A617/h21A817 Скачать, 498 КБ
Photocoupler PC817 Скачать, 541 КБ
NPN transistor/Schottky rectifier module PMEM4020AND Скачать, 275 КБ
Plastic film capasitors (Маркировка пленочных конденсаторов) Скачать, 53 КБ
Высоковольтные керамические SMD конденсаторы Скачать, 101 КБ
1N4148; 1N4448 Hight-speed diodes Скачать, 61 КБ
1N5400 — 1N5408 Скачать, 49 КБ
1N5817 — 1N5819 Скачать, 47 КБ

www.texnotron.com

3S0680R и её аналог 3S0765R, datasheet на ИМС

С микросхемой 3S0680R столкнулся при ремонте телевизора Samsung CK 3338ZR шасси SCT-13. На ее основе собран блок питания.

После проверки переключателя SW801, предохранителя F801, обмотки трансформатора T801 (1,4)  был сделан вывод о неисправности микросхемы KA3S0680RFB (полное название). Ниже привожу даташит 3S0680R:

Однако под рукой данной микросхемы не оказалось. Порывшись в интернете нашел аналог 3S0765R (полное название KA3S0765RFB). Просмотрев даташит оказалось, что максимальное напряжение  у нее несколько ниже, но не критически.

Второй момент, часто касающийся 3S0680R о ее не надежности и большого количества подделок.


data-matched-content-rows-num=»4,8″
data-matched-content-columns-num=»1,4″
data-matched-content-ui-type=»image_stacked»
data-ad-format=»autorelaxed»>

xn--80aanab4adj2bicdg1q.xn--p1ai

Микросхема TDA2003 — Усилитель звука — DataSheet

Микросхема TDA2003 дает возможность собрать простой усилитель звуковой частоты, при использовании минимального количества внешних компонентов. При этом она обеспечивает высокую нагрузочную способность по току (до 3.5 А) и очень низкие уровни гармоник и перекрестных помех. Безопасная работа обеспечивается защитой от короткого замыкания по постоянному и переменному току, тепловой защитой и отключением нагрузки при всплесках напряжения до 40 В.

 

Пятивыводной корпус TDA2003

Абсолютные максимальные значения
Обозначение Параметр Значение Ед. изм.
Vs Максимальный импульс напряжения питания (50 мс) 40 В
Vs Постоянное напряжение питания 28 В
Vs Рабочее значение напряжения питания 18 В
Io Максимальный импульс выходного тока (повторяющийся) 3.5 А
Io Максимальный импульс выходного тока (неповторяющийся) 4.5 А
Ptot Рассеиваемая мощность при температуре корпуса Tcase = 90°C 20 Вт
Tstg, Tj Температура хранения и температура кристалла от -40 до 150 °C

 

Электрические характеристики (Vs = 14.4 В, температура окружающей среды 25 °C)

Обозначение Параметр Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Характеристики для цепи проверки по постоянному току
Vs Напряжение питания 8 18 В
Vo Выходное напряжение покоя (на выводе 4) 6.1 6.9 7.7 В
Id Потребляемый ток покоя (на выводе 5) 44 50 мА
Характеристики для цепи проверки по переменному току
Po Выходная мощность d = 10%, f = 1 кГц, RL = 4 Ом 5.5 6 Вт
d = 10%, f = 1 кГц, RL = 2 Ом  9 10 Вт
d = 10%, f = 1 кГц, RL = 3.2 Ом 7.5 Вт
d = 10%, f = 1 кГц, RL = 1.6 Ом 12 Вт
 Vi(rms) Входное напряжение насыщения 300  мВ
Vi Чувствительность на входе f = 1 кГц, Po = 0.5 Вт, R= 4 Ом 14  мВ
 f = 1 кГц, Po = 6 Вт, R= 4 Ом 55  мВ
f = 1 кГц, Po = 0.5 Вт, R= 2 Ом 10  мВ
 f = 1 кГц, Po = 10 Вт, R= 2 Ом 50  мВ
 В Частотная характеристика (-3 дБ)  Po = 1 Вт, R= 4 Ом от 40 до 15000 Гц
 d Искажения f = 1 кГц
Po =от 0.05 до 4.5 Вт, RL = 4 Ом
Po =от 0.05 до 7.5 Вт, RL = 2 Ом
0.15 %
 Ri Входное сопротивление (вывод 1) f = 1 кГц 70 150 кОм
 Gv Усиление по напряжению (разомкнутый контур) f = 1 кГц 80 дБ
f = 10 кГц 60 дБ
  Gv  Усиление по напряжению (замкнутый контур)  f = 1 кГц, RL = 4 Ом  39.3  40  40.3  дБ
 eN Напряжение шумов на входе 1 5  мкВ
i Токи шумов  на входе 60 200 пА
η КПД  f = 1 Гц, Po = 6 Вт, R= 4 Ом  69 %
  f = 1 Гц, Po = 10 Вт, R= 2 Ом 65 %
SVR  Коэффициент ослабления нестабильности источника питания f = 100 Гц,
Vripple = 0.5 В,
Rg = 10 кОм, RL = 4 Ом
 30  36 дБ

 

Принципиальная схема включения TDA2003

 

Таблица для выбора рекомендуемых значений (Принципиальна схема рис. 1 , монтажная плата рис. 2)
Компоненты Рекомендуемые значения Цель Больше, чем рекомендуемое значение Меньше, чем рекомендуемое значение
С1 2.2  мкФ Развязка по постоянному току Шумы при включении и выключении
C2 470 мкФ Подавление пульсаций источника питания Уменьшение SRV
C3 0.1 мкФ Накопительный конденсатор Опасность возникновения колебаний
C4 1000 мкФ Выход для подключения нагрузки Повышение нижней частоты среза
C5 0.1 мкФ Стабильность частоты Опасность возникновения колебаний на высоких частотах с индуктивной нагрузкой
CX ~=1/2πBR1  Верхняя частота среза Уменьшение полосы пропускания Увеличение полосы пропускания
R1 (Gv-1) · R2 Установка коэффициента усиления Увеличение тока утечки
R2 2.2 Ом Установка коэффициента усиления и коэффициента SVR Снижение SVR
R3 1 Ом Стабильность частоты Опасность возникновения колебаний на высоких частотах с индуктивной нагрузкой
RX ~=20R2 Плохое ослабление ВЧ — сигнала Опасность возникновения колебаний

 

Купить TDA2003 по самой низкой цене вы можете здесь.

Рис. 2 Печатная плата

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Оставить комментарий

avatar
  Подписаться  
Уведомление о