Диод д226б характеристики: Интернет магазин радиодеталей и их компонентов

Диод Д226 — DataSheet

Корпус диода Д226Корпус диода Д226

Описание

Диоды кремниевые, сплавные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 2 г.

 

Параметры диода Д226
Параметр Обозначение Маркировка Значение Ед. изм.
Максимальное постоянное обратное напряжение. Uo6p max, Uo6p и max Д226 400 В
Д226А 300
Д226Б 200
Максимальный постоянный прямой ток. Iпp max, Iпp ср max, I*пp и max
Д226 300 мА
Д226А 300
Д226Б 300
Максимальная рабочая частота диода fд max Д226 1 кГц
Д226А 1
Д226Б 1
Постоянное прямое напряжение Uпр не более (при Iпр, мА) Д226 1 (300) В
Д226А 1 (300)
Д226Б 1 (300)
Постоянный обратный ток Iобр не более (при Uобр, В) Д226 50 (400) мкА
Д226А
50 (300)
Д226Б 50 (200)
Время обратного восстановления — время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения tвос, обр Д226 мкс
Д226А
Д226Б
Общая емкость Сд (при Uобр, В) Д226 пФ
Д226А
Д226Б

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.

 

Зависимость прямого тока от напряжения

Зависимость прямого тока от напряжения

Зависимость обратного тока от напряженияЗависимость обратного тока от напряжения

Зависимость обратного тока от напряженияЗависимость обратного тока от напряжения

Зависимость обратного тока от напряженияЗависимость обратного тока от напряжения

Зависимость допустимого обратного напряжения от температурыЗависимость допустимого обратного напряжения от температуры

Зависимость допустимого прямого тока от температурыЗависимость допустимого прямого тока от температуры

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите

Ctrl+Enter.

Характеристики диодов 1n4007, д242, д226, кд202в

Выбрать подходящий полупроводник для того или иного механизма порой бывает весьма затруднительно. Чтобы лучше ориентироваться в названиях диодов и легче их запоминать, необходимо знать, что любое название является составным и включает в себя 4 части.

Первая часть — число, либо литера, обозначающая использованный при изготовлении материал:

1 (Г) — соединения с включениями германия.

2 (К) — соединения с включениями кремния.

3 (А) — арсенид галлия, а также другие соединения с включениями галлия.

Вторая часть — указание на подклассовую принадлежность прибора:

Д — диоды;

А — сверхвысокочастотные диоды;

И — диоды туннельные и обращённые.

Третья часть — число, демонстрирующее назначение и качества конструкции.

Четвёртая часть — номер приведённой модели.

Конечно данные расшифровки актуальны только в отношении продукции отечественного производителя, однако общий смысл построения названий диодов в зарубежной практике может быть схож.

Далее будут представлены на рассмотрения по 2 диода средней и малой мощности.

 Диод N4007

Характеристики диодов

Кремниевый диод малой мощности в пластиковом корпусе модели DO-41.

Весьма часто применяется, чтобы сформировать блок питания (как компонент  выпрямителя, включающего в себя 4 диода).  Как и прочие модели, предназначен для преобразования характера напряжения (был переменным, становится постоянным). Выпускаются диоды подобного образца преимущественно в Тайване компаниями DIODES и RECTRON SEMICONDACTOR. В иных зарубежных странах изготовители тоже есть, но объём поставок от них невелик.

Массово применяется в телефонах, смартфонах, планшетных компьютерах.

Для самых недорогих маломощных (до 1 Ватта) устройств достаточно всего одного такого диода (вместо моста из 4-х). Чтобы легче ориентироваться при установке, на покрытии имеется выделенное цветном кольцо, обозначающее расположение катодного вывода.

Длина вывода на каждой стороне диода достаточна как для горизонтального расположения, так и для вертикальной установки. Имеет низкую себестоимость. Почти все полупроводники серии 1N4001 — 1N4007 возможно заменить на 1N4007 при необходимости. Мажет применяться в радиоаппаратуре вместо варикапа.

Постоянное обратное напряжение (max.) — 1000 В

Постоянный ток (max.) — 1 А (при 75°C)

Прямое напряжение (max.) — 1,1 В

Рабочая температура — -65…+175°C

Вес — 0,33 г

Аналоги

  • Российские:
  • КД243ж;
  • КД258д.
  • Зарубежные:
  • HEPR0056RT;
  • BYW43;
  • 1N2070, 1N3549;
  • BY156, BYW27.

 

 Диод Д242

Характеристики диодов

Диффузионный полупроводник. Изготовлен из кремния и «упакован» в металлостекляный корпус. Выводы жёсткие. На поверхности обозначены тип и цоколевка (отображение взаиморасположения электродов и выводов). Д242 относится к числу выпрямительных среднемощных диодов, то есть он рассчитан на выпрямление тока от 300mA до 10А. Применяется в различных сферах радиоэлектронной промышленности.

Постоянное обратное напряжение (max.) — 100 В

Постоянный прямой ток (max.) — 10 А

Прямое напряжение (mid.) — 1,25 В

Рабочая температура — -65…+130°C

Обратный ток (mid.) — не более 3 mA

Граничная частота — 1 кГц

Вес (со всеми дополняющими) — 18 г

Вес (только диод) — 12 г

Модификации: Д242а, Д242б

Аналоги: Д243, Д245, Д246

 Диод Д226

Характеристики диодов

Маломощный диод. Вся серия (Д226, Д226а — Д226е) представляет собой кремниевые устройства в корпусе из стекла и металла. Обладают гибкими выводами, а на корпусе имеется цоколевка. Выход для катода (1мм) немного толще выхода для анода (0,8мм). Может применяться для снижения напряжения в лампах накаливания. В кодировке может быть замена Д (сплавные) на МД (диффузионные).

Обратное импульсное напряжение (max.) — 400 В

Прямой ток (max.) — 300 mA

Прямое напряжение (max.) — 1 В

Обратный ток — 100 mkA

Рабочая частота (max.) — 1кГц

Рабочая температура (max.) — 80°C

Корпус: Д-7

Аналоги: любые модели из родной серии.

 

 Диод КД202в

Характеристики диодов

Другая кодировка — 2Д202в. Относится к диодам средней мощности. Применяется для преобразования тока из переменного в постоянный при частоте не более 5 кГц. Достаточно недорогой, однако во избежание порчи нового полупроводника при установке в конструкцию теплоотвода или шасси, необходимо удерживать его ключом у основания. Предписанную силу осуществляемой затяжки (1,47 Н*м) запрещается превышать. Помимо этого запрещено осуществлять по отношению к изолированному выводу воздействие более 0,98 Н, это может вызвать разрушение и поломку выполненной из стекла защитной оболочки.

Содержит золото — 0,00053 грамм.

Допустимое обратное напряжение (max.) — 70 В

Импульсное напряжение (max.) — 100 В

Обратный ток — 5 А

Импульсный ток — 9 А

Падение напряжения (max.) — 0,9 В (при прямом токе в 5 А и при T -60…+75°C)

Рабочая частота диода (max.) — 1,2 кГц

t° корпуса диода — 75°C

Вес — 4,62 г

Аналоги: 1N4724
Это основные данные по приведённым моделям кремниевых диодов. Они помогут с поиском необходимого устройства или позволят подобрать подходящий аналог.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Поделиться ссылкой:

Диод Д226, Д226А, Д226Б, Д226Е


Диод Д226, Д226А, Д226Б, Д226Е - выпрямительный, малой мощности (сплавной, кремниевый). Имеет металлостеклянный корпус. Выводы - гибкие. На его корпусе нанесена цоколёвка и название диода. Весит диод около двух грамм.

Электрические параметры Д226, Д226А, Д226Б, Д226Е

Прямое напряжение (среднее) 1 В


Предельные характеристики Д226, Д226А, Д226Б, Д226Е

Обратное напряжение (импульсное) при температуре -60...+50°C:
Д226 400 В
Д226А 300 В
Д226Б 600 В
Д226Е 200 В
при температуре +50...+80°C:
Д226 300 В
Д226А 200 В
Д226Б 500 В
Д226Е 150 В

Прямой ток (средний) - 300 мА
Рабочая температура -60...+80°C

Диоды Д226

Диод Д226Б


Диоды выпрямительные типов: Д226Б, Д226В, Д226Г, Д226Д


Диоды: Д226 Б, Д226 В, Д226 Г, Д226Д, соответствуют техническим условиям 3.362.002 ТУ1Эскиз диода Д226:
Эскиз диода Д226В одном диоде содержится 0,0025857 грамм золота.
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Примечание. В интервале температур от +50 0С до +80 0С значения параметров снижаются по линейному закону.

3. Условия хранения данного прибора.

Хранение в складских условиях:
Температура окружающей среды от +50С до +35 0С.
Относительная влажность до 85 0С
Отсутствие в окружающей среде кислотных, щелочных и других агрессивных примесей вредно на них действующих.

Хранение в полевых условиях:
Температура окружающего воздуха от -40 0С +40 0С
Относительная влажность до 98 % при температуре +30 0С.

4 Гарантии

Предприятие-изготовитель гарантирует соответствие выпускаемых диодов всем требованиям технических условий, стандартов или другой технической документации, утвержденной и установленном порядке, на диоды Д226Б-Д226Д в течение:
-шести лет – для приборов и аппаратуре и ЗИП, в том числе 7500 часов эксплуатации в течение этого срока;
-шести лет – для приборов, хранящихся в складских условиях в упаковке поставщика.
Гарантийный срок исчисляется с момента отгрузки.

5. Указания и рекомендации по эксплуатации

1. Соединение выводов диода с элементами схемы разрешается проводить методом пайки, сварки или другими способами, при которых имеет место нагрев в любой точке корпуса диода не более, чем до +1200С на время не более, чем 3-5 сек.
При этом место соединения с элементами схемы должно быть на расстоянии не менее 10 мм от корпуса диода.
2. Диоды одной и той же группы допускают параллельное соединение. При этом должны соблюдаться условия, обеспечивающие отсутствие перегрузок любого параллельно подключенного диода по среднему значению прямого тока, приведенному в таблице.
3. Диоды допускают последовательное соединение без специального подбора. При последовательном соединении каждый из последовательно соединенных диодов рекомендуется шунтировать выравнивающей емкостью.
Допускается применение любого другого шунта, при котором напряжение на любом последовательно соединенном диоде не превосходит максимального значения во всем частотном и температурном интервале работы диодов.
При последовательном соединении должны быть приняты меры по обеспечению прочности, устройства с учетом общего потенциала схемы.
4. Диоды обеспечивают работу на емкостную нагрузку при условии, что максимально допустимое обратное напряжение на диоды не превышает предельно допустимого значения обратного напряжения, а эффективное значение тока через диоды не превышает 1,57 от среднего значения прямого тока приведенного в таблице №2.
Допускаются перегрузки по среднему значению прямого тока до 2,5 ампер (амплитудного значения) в течение 3-4 периодов (переходной процесс).
5. При эксплуатации диодов в цепях обеспечения надежной работы аппаратуры следует выполнять требования руководства НО 332.004 (ред. 2-68)
6. Допускается нагрев корпуса диодов до температуры +80 0С.
7. При работе диодов в выпрямительной схеме первое время после включения обратный ток их может несколько увеличиваться, оставаясь в пределах норм ТУ, вследствие инерции прогрева диода, что не является признаком неустойчивости в работе диодов.


Диод МД226 — DataSheet

Корпус диода МД226Корпус диода МД226

 

Описание

Диоды кремниевые, диффузионные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения
электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 2 г.

 

Параметры диода МД226
Параметр Обозначение Маркировка Значение Ед. изм.
Максимальное постоянное обратное напряжение. Uo6p max, Uo6p и max МД226 400 В
МД226А 300
МД226Б 200
Максимальный постоянный прямой ток. Iпp max, Iпp ср max, I*пp и max МД226 300 мА
МД226А 300
МД226Б 300
Максимальная рабочая частота диода fд max МД226 1 кГц
МД226А 1
МД226Б 1
Постоянное прямое напряжение Uпр не более (при Iпр, мА) МД226 1 (300) В
МД226А 1 (300)
МД226Б 1 (300)
Постоянный обратный ток Iобр не более (при Uобр, В) МД226 50 (400) мкА
МД226А 50 (300)
МД226Б 50 (200)
Время обратного восстановления — время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения tвос, обр МД226 мкс
МД226А
МД226Б
Общая емкость Сд (при Uобр, В) МД226 пФ
МД226А
МД226Б

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Диод КД226 — DataSheet

Корпус диода КД226Корпус диода КД226

 

Описание

Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 35 кГц. Выпускаются
в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цветным кольцом со стороны отрицательного вывода (катода): КД226А— оранжевым, КД226Б — красным, КД226В — зеленым, КД226Г —желтым, КД226Д — белым. Масса диода не более 0,5 г.

Пайка выводов диодов допускается не ближе 2 мм от корпуса при температуре не свыше +270 °С в течение 5 с.

Допускается последовательное (без шунтирования) соединение двух диодов одного типа; при этом суммарное обратное напряжение не
должно превышать 2Uобр,макс. При последовательном соединении большего числа диодов рекомендуется применять диоды одного типа и шунтировать каждый диод резистором с любым сопротивлением.

Допускается параллельное соединение диодов при условии, обеспечивающем исключение перегрузок любого параллельно подключенного
диода по максимально допустимому прямому току.

При работе диодов на емкостную нагрузку действующее значение тока через диод не должно превышать 1,57 Iпр,ср,макс.

 

Параметры диода КД226
Параметр Обозначение Маркировка Значение Ед. изм.
Аналог КД226А 1N3359, BY259
КД226Б UT3020
КД226В 1N487A
КД226Г SDA113E
КД226Е SDA113P
Максимальное постоянное обратное напряжение. Uo6p max, Uo6p и max КД226А 100 В
КД226Б 200
КД226В 400
КД226Г 600
КД226Д 800
КД226Е 600
Максимальный постоянный прямой ток. Iпp max, Iпp ср max, I*пp и max КД226А 1.7 А
КД226Б 1.7
КД226В 1.7
КД226Г 1.7
КД226Д 1.7
КД226Е 2
Максимальная рабочая частота диода fд max КД226А 50 кГц
КД226Б 50
КД226В 50
КД226Г 50
КД226Д 50
КД226Е 50
Постоянное прямое напряжение Uпр не более (при Iпр, мА) КД226А 1.4 (1.7 А) В
КД226Б 1.4 (1.7 А)
КД226В 1.4 (1.7 А)
КД226Г 1.4 (1.7 А)
КД226Д 1.3 (1 А)
КД226Е 1.4 (1.7 А)
Постоянный обратный ток Iобр не более (при Uобр, В) КД226А 50 (100) мкА
КД226Б 50 (200)
КД226В 50 (400)
КД226Г 50 (600)
КД226Д 50 (800)
КД226Е 10 (600)
Время обратного восстановления — время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения tвос, обр КД226А 0.25 мкс
КД226Б 0.25
КД226В 0.25
КД226Г 0.25
КД226Д 0.25
КД226Е 0.25
Общая емкость Сд (при Uобр, В) КД226А пФ
КД226Б
КД226В
КД226Г
КД226Д
КД226Е

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

226

226, 226, 226, 226, 226, 226, 226,. . . 226 1.

1,226

226

= 25

. (.)

U ..
B

I ..
мА

226

400

300

80

226

300

300

80

226

400

300

80

226

300

300

80

226

200

300

80

226

100

300

80

226

200

300

80

.

Общие сведения о характеристиках диода Шоттки Технические характеристики »Электроника

Хотя диоды Шоттки имеют много общих параметров с другими формами диодов, их характеристики отличаются, как и некоторые технические характеристики и параметры.


Учебное пособие по диодам с барьером Шоттки Включает:
Диод с барьером Шоттки Технология диодов Шоттки Характеристики диода Шоттки Выпрямитель мощности на диоде Шоттки

Другие диоды: Типы диодов


Хотя диод Шоттки имеет много общих характеристик с более традиционными формами диодов, он все же имеет некоторые существенные отличия.

Понимание спецификаций и параметров диодов Шоттки помогает использовать их наиболее эффективно в любых схемах, в которых они могут использоваться.

Schottky barrier diode circuit symbol Обозначение схемы диода с барьером Шоттки

Основные характеристики диода Шоттки

Диод Шоттки является основным носителем, т.е. электронами в материале N-типа.

Это дает ему значительное преимущество с точки зрения скорости, поскольку он не зависит от рекомбинации дырок или электронов, когда они входят в область противоположного типа, как в случае обычного диода.

Кроме того, уменьшив размеры устройств, можно уменьшить постоянную времени обычного RC-типа, что сделает эти диоды на порядок быстрее, чем обычные PN-диоды. Этот фактор является основной причиной того, почему они так популярны в радиочастотных приложениях, а также во многих других энергетических приложениях, где важна скорость переключения, например в импульсных источниках питания.

Диод Шоттки также имеет гораздо более высокую плотность тока, чем обычный PN переход. Это означает, что прямое падение напряжения намного меньше.Это делает диод идеальным для использования в системах выпрямления мощности.

Основным недостатком диода Шоттки является уровень его обратного пробоя, который намного ниже, чем у диода PN.

Еще один недостаток - относительно высокий уровень обратного тока. Для многих случаев использования это может не быть проблемой, но это фактор, на который стоит обратить внимание при использовании в более требовательных приложениях.

Общая ВАХ показана ниже. Видно, что диод Шоттки имеет типичную характеристику прямого полупроводникового диода, но с гораздо более низким напряжением включения.При высоких уровнях тока он выравнивается и ограничивается последовательным сопротивлением или максимальным уровнем подачи тока. В обратном направлении происходит пробой выше определенного уровня. Механизм аналогичен ударно-ионизационному пробою в PN-переходе.

Диод Шоттки ВАХ

ВАХ обычно такая, как показано ниже. В прямом направлении ток растет экспоненциально, имея излом или напряжение включения около 0,2 В. В обратном направлении наблюдается больший уровень обратного тока, чем при использовании более обычного диода с PN переходом.

Кроме того, напряжение обратного пробоя также обычно ниже, чем у эквивалентного кремниевого диода с PN переходом.

I-V characteristic of a Schottky diode ВАХ диода Шоттки

Использование защитного кольца, включенного в структуру некоторых диодов Шоттки, улучшает их характеристики как в прямом, так и в обратном направлении.

Основным преимуществом включения в конструкцию защитного кольца является улучшение характеристики обратного пробоя. Разница в напряжении пробоя между ними составляет около 4: 1.Некоторые малосигнальные диоды без защитного кольца могут иметь обратный пробой всего от 5 до 10 В. Хотя это может быть приемлемо для некоторых приложений с низким уровнем сигнала, это не идеально для большинства ситуаций.

Основные характеристики и параметры диода Шоттки

Есть несколько ключевых характеристик диодов Шоттки, которые необходимо понимать при использовании этих диодов - они сильно отличаются от характеристик обычного диода с PN переходом.

  • Прямое падение напряжения: Ввиду низкого прямого падения напряжения на диоде этот параметр вызывает особую озабоченность.Как видно из ВАХ диода Шоттки, напряжение на диоде изменяется в зависимости от протекающего тока. Соответственно, любая приведенная спецификация обеспечивает прямое падение напряжения для заданного тока. Обычно предполагается, что напряжение включения составляет около 0,2 В.
  • Обратный пробой: Диоды Шоттки не имеют высокого напряжения пробоя. Цифры, относящиеся к этому, включают максимальное пиковое обратное напряжение, максимальное постоянное напряжение блокировки и другие аналогичные названия параметров.Если эти цифры превышены, существует вероятность обратного пробоя диода. Следует отметить, что среднеквадратичное значение для любого напряжения будет в 1 / √2 раза больше постоянного значения. Верхний предел обратного пробоя невысок по сравнению с обычными диодами с PN переходом. Максимальные значения, даже для выпрямительных диодов, достигают только около 100 В. Выпрямители на диодах Шоттки редко превышают это значение, потому что устройства, которые будут работать выше этого значения даже в умеренных количествах, будут иметь прямое напряжение, равное или превышающее эквивалентные выпрямители с PN переходом.
  • Емкость: Параметр емкости имеет большое значение для ВЧ приложений с малым сигналом. Обычно площади переходов диодов Шоттки невелики, и поэтому емкость мала. Типичные значения в несколько пикофарад являются нормальными. Поскольку емкость зависит от областей истощения и т. Д., Емкость должна быть указана при заданном напряжении.
  • Время обратного восстановления: Этот параметр важен, когда диод используется в приложении переключения.Это время, необходимое для переключения диода из его прямого проводящего состояния или состояния «ВКЛ» в обратное состояние «ВЫКЛ». Заряд, который течет в течение этого времени, называется «зарядом обратного восстановления». Время для этого параметра для диода Шоттки обычно измеряется в наносекундах, нс. Некоторые выставляют времена 100 пс. Фактически, то небольшое время восстановления, которое требуется, в основном связано с емкостью, а не с рекомбинацией основных носителей. В результате наблюдается очень небольшой выброс обратного тока при переключении из состояния прямой проводимости в состояние блокировки обратного хода.
  • Обратный ток утечки: Параметр обратной утечки может быть проблемой для диодов Шоттки. Обнаружено, что повышение температуры значительно увеличивает параметр тока обратной утечки. Обычно на каждые 25 ° C повышения температуры диодного перехода происходит увеличение обратного тока на порядок величины при том же уровне обратного смещения.
  • Рабочая температура: Максимальная рабочая температура соединения Tj обычно ограничивается диапазоном от 125 до 175 ° C.Это меньше, чем то, что можно использовать с обычными кремниевыми диодами. Следует позаботиться о том, чтобы теплоотвод силовых диодов не допускал превышения этого значения.

Обзор характеристик диода Шоттки

Диод Шоттки используется во многих приложениях из-за его характеристик, которые заметно отличаются от некоторых характеристик более широко используемых стандартных диодов с PN переходом.

Диод Шоттки / Сравнение диодов PN
Характеристика Диод Шоттки PN Соединительный диод
Механизм прямого тока Основной транспортный транспорт. Из-за диффузионных токов, т.е. переноса неосновных носителей заряда.
Обратный ток Результат от большинства перевозчиков, преодолевших барьер. Это меньше зависит от температуры, чем для стандартного PN-перехода. Результат диффузии неосновных носителей заряда через обедненный слой. Имеет сильную температурную зависимость.
Включить напряжение Малый - около 0,2 В. Сравнительно большой - около 0.7 В.
Скорость переключения Fast - в результате использования основных носителей, поскольку рекомбинация не требуется. Ограничено временем рекомбинации введенных неосновных носителей.

Пример технических характеристик диода Шоттки

Чтобы дать некоторое представление о характеристиках, которые можно ожидать от диодов Шоттки, ниже приводится пара реальных примеров. В них кратко излагаются основные технические характеристики, чтобы дать представление об их производительности.

1N5828 Силовой выпрямительный диод с барьером Шоттки

Этот диод описывается как диод Шоттки стержневого типа, то есть для выпрямления мощности. Он показывает, как работает силовой диод Шоттки.

Типичные характеристики / технические характеристики диода Шоттки 1N5258
Характеристика Типичное значение Блок Детали
Максимальное рекуррентное пиковое обратное напряжение 40 В
Максимальное напряжение блокировки постоянного тока 40 В
Средний прямой ток, IF (AV) 15 A Т = 100 ° С
Пиковый прямой импульсный ток, IFSM 500 A
Максимальное мгновенное прямое напряжение, VF 0.5 В При IFM = 15 A и Tj = 25 ° C
Максимальный мгновенный обратный ток при номинальном напряжении блокировки, IR 10

250

мА Tj = 25 ° C

Tj = 125 ° C

1N5711 Диод переключения барьера Шоттки

Этот диод описывается как сверхбыстрый переключающийся диод с высоким обратным пробоем, низким прямым падением напряжения и защитным кольцом для защиты перехода.

Типовой 1N5711 Характеристики / Технические характеристики
Характеристика Типичное значение Блок Детали
Макс.напряжение блокировки постоянного тока, В 70 В
Макс.длительный ток в прямом направлении, Ifm 15 мА
Напряжение обратного пробоя, В (БР) R 70 В при обратном токе 10 мкА
Обратный ток утечки, IR 200 мкА При VR = 50 В
Прямое падение напряжения, VF 0.41

1,00

В при IF = 1,0 мА

IF = 15 мА

Емкость перехода, Кдж 2,0 пФ VR = 0 В, f = 1 МГц
Время обратного восстановления, трр 1 нС

Несмотря на то, что приведенные здесь примеры дают характеристику обратного напряжения 40 В, что довольно типично, обычно можно получить максимум около 100 В.

Следует отметить, что даже несмотря на то, что эти цифры приведены в качестве примеров цифр, которые можно ожидать для типичных диодов Шоттки, цифры даже для данного номера устройства также будут незначительно отличаться у разных производителей.

Другие электронные компоненты:
Резисторы Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды Транзистор Фототранзистор Полевой транзистор Типы памяти Тиристор Разъемы Разъемы RF Клапаны / трубки Аккумуляторы Переключатели Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .

.

диодов - learn.sparkfun.com

Добавлено в избранное Любимый 57

Реальные характеристики диода

В идеале , диоды будут блокировать любой ток, текущий в обратном направлении, или просто действовать как короткое замыкание, если ток идет вперед. К сожалению, реальное поведение диодов не совсем идеальное. Диоды действительно потребляют некоторое количество энергии при проведении прямого тока, и они не будут блокировать весь обратный ток.Реальные диоды немного сложнее, и все они имеют уникальные характеристики, которые определяют, как они на самом деле работают.

Соотношение тока и напряжения

Наиболее важной характеристикой диода является его вольт-амперная зависимость ( i-v ). Это определяет, какой ток проходит через компонент, учитывая, какое напряжение на нем измеряется. Резисторы, например, имеют простую линейную зависимость i-v ... Закон Ома. Кривая i-v диода, однако, полностью не -линейна.Выглядит это примерно так:

Вольт-амперная зависимость диода. Чтобы преувеличить несколько важных моментов на графике, масштабы как в положительной, так и в отрицательной половине не равны.

В зависимости от приложенного к нему напряжения диод будет работать в одном из трех регионов:

  1. Прямое смещение : Когда напряжение на диоде положительное, диод включен, и ток может проходить через него. Напряжение должно быть больше прямого напряжения (V F ), чтобы ток был значительным.
  2. Обратное смещение : Это режим "выключения" диода, когда напряжение меньше, чем V F , но больше, чем -V BR . В этом режиме протекание тока (в основном) заблокировано, а диод выключен. Очень малый ток (порядка нА), называемый током обратного насыщения, может протекать через диод в обратном направлении.
  3. Пробой : Когда напряжение, приложенное к диоду, очень большое и отрицательное, большой ток может протекать в обратном направлении, от катода к аноду.

прямое напряжение

Чтобы «включиться» и провести ток в прямом направлении, диод требует приложения определенного количества положительного напряжения. Типичное напряжение, необходимое для включения диода, называется прямым напряжением F ). Он также может называться напряжения включения или напряжения включения .

Как мы знаем из кривой i-v , ток через диод и напряжение на диоде взаимозависимы.Больший ток означает большее напряжение, меньшее напряжение означает меньший ток. Однако, как только напряжение приближается к номинальному прямому напряжению, большое увеличение тока по-прежнему должно означать лишь очень небольшое увеличение напряжения. Если диод полностью проводящий, обычно можно предположить, что напряжение на нем соответствует номинальному прямому напряжению.

Мультиметр с настройкой диода может использоваться для измерения (минимального) прямого падения напряжения на диоде.

V F конкретного диода зависит от того, из какого полупроводникового материала он сделан.Обычно кремниевый диод имеет V F около 0,6–1 В . Диод на основе германия может быть ниже, около 0,3 В. Диод типа также имеет некоторое значение для определения прямого падения напряжения; светодиоды могут иметь намного больший V F , в то время как диоды Шоттки разработаны специально для того, чтобы иметь гораздо более низкое, чем обычно, прямое напряжение.

Напряжение пробоя

Если к диоду приложить достаточно большое отрицательное напряжение, он поддается и позволяет току течь в обратном направлении.Это большое отрицательное напряжение называется напряжением пробоя . Некоторые диоды на самом деле предназначены для работы в области пробоя, но для большинства нормальных диодов не очень полезно подвергаться воздействию больших отрицательных напряжений.

Для нормальных диодов это напряжение пробоя составляет от -50 В до -100 В или даже более отрицательное.

Таблицы данных диодов

Все вышеперечисленные характеристики должны быть подробно описаны в даташите на каждый диод. Например, в этом техническом описании диода 1N4148 указано максимальное прямое напряжение (1 В) и напряжение пробоя (100 В) (среди множества другой информации):

Таблица данных может даже представить вам очень знакомый график вольт-амперной характеристики, чтобы более подробно описать поведение диода.Этот график из таблицы данных диода увеличивает изогнутую переднюю часть кривой i-v . Обратите внимание, как больший ток требует большего напряжения:

Эта таблица указывает на еще одну важную характеристику диода - максимальный прямой ток. Как и любой другой компонент, диоды могут рассеивать только определенное количество энергии, прежде чем они взорвутся. На всех диодах должен быть указан максимальный ток, обратное напряжение и рассеиваемая мощность. Если диод подвергается большему напряжению или току, чем он может выдержать, ожидайте, что он нагреется (или, что еще хуже, расплавится, задымится...).

Некоторые диоды хорошо подходят для больших токов - 1 А или более - другие, такие как малосигнальный диод 1N4148, показанный выше, могут подходить только для тока около 200 мА.


Этот 1N4148 - лишь крошечная выборка всех существующих типов диодов. Далее мы исследуем, какое удивительное разнообразие существует и для какой цели служит каждый тип.


← Предыдущая страница
Идеальные диоды .

VI характеристики PN-диода в трех режимах смещения

P-N-диод появился в 1950 году. Это самый важный и основной строительный блок электронного устройства. Диод с PN-переходом представляет собой устройство с двумя выводами, которое формируется, когда одна сторона диода с PN-переходом сделана из p-типа и легирована материалом N-типа. PN-переход - это основа для полупроводниковых диодов. Различные электронные компоненты, такие как BJT, JFET, MOSFET (полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник), светодиоды, аналоговые или цифровые ИС, поддерживают полупроводниковую технологию.Основная функция полупроводникового диода заключается в том, что он позволяет электронам полностью проходить через него в одном направлении. Наконец, он действует как выпрямитель. В этой статье дается краткая информация о диоде с PN-переходом, диоде с PN-переходом в прямом смещении и обратном смещении, а также о характеристиках VI диода с PN-переходом

Что такое диод с PN-переходом?

Существует три возможных состояния смещения и две рабочие области для типичного диода с PN-переходом: нулевое смещение, прямое смещение и обратное смещение.

Когда на диод с PN-переходом не подается напряжение, электроны будут диффундировать к P-стороне, а отверстия будут диффундировать к N-стороне через переход, и они объединятся. Следовательно, акцепторный атом, близкий к P-типу, и донорный атом, расположенный рядом с N-стороной, остается неиспользованным. Эти носители заряда создают электронное поле. Это препятствует дальнейшей диффузии носителей заряда. Таким образом, движение области не известно как область истощения или пространственный заряд.

PN Junction Diode PN Junction Diode PN Junction Diode

Если мы применим прямое смещение к диоду с PN-переходом, это означает, что отрицательная клемма подключена к материалу N-типа, а положительная клемма подключена к материалу P-типа через диод, который имеет эффект уменьшения ширины диода PN перехода.

Если мы применим обратное смещение к диоду с PN-переходом, это означает, что положительный вывод подключен к материалу N-типа, а отрицательный вывод подключен к материалу P-типа через диод, что приводит к увеличению ширина PN-переходного диода и отсутствие заряда может проходить через переход

VI Characteristics of PN Junction Diode VI Characteristics of PN Junction Diode VI Характеристики PN-переходного диода

PN-переходный диод с нулевым смещением

В переходе с нулевым смещением потенциально обеспечивается более высокая потенциальная энергия для отверстий на P и N боковые клеммы.Когда клеммы переходного диода закорочены, несколько основных носителей заряда на стороне P обладают достаточной энергией, чтобы преодолеть потенциальный барьер, чтобы пройти через область обеднения. Таким образом, с помощью основных носителей заряда в диоде начинает течь ток, который обозначается как прямой ток. Таким же образом неосновные носители заряда на N-стороне движутся через область обеднения в обратном направлении, и это называется обратным током.

PCBWay PCBWay
Zero Biased PN Junction Diode Zero Biased PN Junction Diode Диод PN-перехода с нулевым смещением

Потенциальный барьер препятствует движению электронов и дырок по переходу и позволяет неосновным носителям заряда дрейфовать через PN-переход.Однако потенциальный барьер помогает неосновным носителям заряда P-типа и N-типа дрейфовать через PN-переход, тогда равновесие будет установлено, когда основные носители заряда равны и оба движутся в обратных направлениях, так что конечный результат равен нулю. ток, протекающий в цепи. Говорят, что это соединение находится в состоянии динамического равновесия.

Когда температура полупроводника повышается, неосновные носители заряда бесконечно генерируются, и поэтому ток утечки начинает расти.Но электрический ток не может течь, так как к PN-переходу не подключен внешний источник.

PN-переходной диод при прямом смещении

Когда PN-переходный диод подключен с прямым смещением, подавая положительное напряжение на материал P-типа и отрицательное напряжение на клемму N-типа. Если внешнее напряжение становится больше, чем значение потенциального барьера (оценка 0,7 В для Si и 0,3 В для Ge, сопротивление потенциальных барьеров будет преодолено, и начнется протекание тока.Потому что отрицательное напряжение отталкивает электроны рядом с переходом, давая им энергию для объединения и пересечения с дырками, выталкиваемыми положительным напряжением в направлении, противоположном переходу.

PN Junction Diode in Forward Bias PN Junction Diode in Forward Bias PN Соединительный диод в прямом смещении

Результат этого на характеристической кривой нулевого тока, протекающего до встроенного потенциала, называется «током перегиба» на статических кривых, а затем протекает большой ток через диод с небольшое увеличение внешнего напряжения, как показано ниже.

VI Характеристики PN-переходного диода при прямом смещении

VI-характеристики PN-переходного диода при прямом смещении нелинейны, то есть не являются прямой линией. Эта нелинейная характеристика показывает, что во время работы N-перехода сопротивление не является постоянным. Наклон диода с PN-переходом при прямом смещении показывает, что сопротивление очень низкое. Когда к диоду прикладывается прямое смещение, это вызывает путь с низким импедансом и позволяет проводить большой ток, который известен как бесконечный ток.Этот ток начинает течь выше точки перегиба с небольшим внешним потенциалом.

PN Junction Diode VI Characteristics in Forward Bias PN Junction Diode VI Characteristics in Forward Bias Характеристики VI диода PN-перехода при пересылке смещения

Разность потенциалов на PN-переходе поддерживается постоянной за счет действия слоя обеднения. Максимальный ток, который должен проводиться, поддерживается нагрузочным резистором неполным, потому что, когда диод с PN-переходом проводит больше тока, чем нормальные характеристики диода, дополнительный ток приводит к рассеиванию тепла, а также приводит к повреждению устройства.

PN переходной диод в обратном смещении

Когда PN переходный диод подключен в состоянии обратного смещения, положительное (+ Ve) напряжение подключается к материалу N-типа, а отрицательное (-Ve) напряжение подключается к Материал P-типа.

Когда к материалу N-типа прикладывается напряжение + Ve, оно притягивает электроны около положительного электрода и уходит от перехода, в то время как дырки на конце P-типа также притягиваются от перехода около отрицательный электрод.

PN Junction Diode in Reverse Bias PN Junction Diode in Reverse Bias PN-переходный диод в обратном смещении

При этом типе смещения ток через диод PN-перехода равен нулю. Тем не менее, утечка тока из-за неосновных носителей заряда течет в диоде, что может быть измерено в UA (микроампер). Поскольку потенциал обратного смещения к диоду с PN-переходом в конечном итоге увеличивается и приводит к пробою обратного напряжения на PN-переходе, током диода с PN-переходом управляет внешняя цепь. Обратный пробой зависит от уровней легирования областей P&N.Кроме того, с увеличением обратного смещения диод закорачивается из-за перегрева в цепи, и максимальный ток цепи течет в диоде с PN переходом.

VI Характеристики диода с PN переходом при обратном смещении

В этом типе смещения характеристическая кривая диода показана в четвертом квадранте рисунка ниже. Ток в этом смещении низкий до тех пор, пока не произойдет пробой, и, следовательно, диод выглядит как разомкнутая цепь. Когда входное напряжение обратного смещения достигает напряжения пробоя, обратный ток сильно увеличивается.

PN Junction Diode VI Characteristics in Reverse Bias PN Junction Diode VI Characteristics in Reverse Bias Характеристики VI диода с PN переходом при обратном смещении

Таким образом, речь идет о диоде с PN переходом в условиях нулевого смещения, прямого смещения и обратного смещения, а также о характеристиках VI диода с PN переходом. Мы надеемся, что вы лучше понимаете эту концепцию. Кроме того, любые сомнения относительно этой статьи или проектов электроники, пожалуйста, дайте свой отзыв, комментируя в разделе комментариев ниже. Вот вам вопрос, какой диод используется в фототранзисторе?

Фото:

.

Оставить комментарий

avatar
  Подписаться  
Уведомление о